[发明专利]薄膜制造方法

权利要求书

1.一种薄膜制造方法，包括：

配置基板的步骤；

准备原料物质的步骤；

将所述原料物质气化，向腔室内装载所述基板的步骤；以及

向所述腔室内供给被气化的所述原料物质的步骤，

其中，所述原料物质是包含以下至少一个化学式的前驱体，

在此，R为官能团。

2.一种薄膜制造方法，包括：

配置基板的步骤；

准备原料物质的步骤，所述原料物质包括以SiH₂为基本结构，在所述基本结构的两侧线 性结合包含碳、氧及氮中至少一个的官能团所构成的化合物；

将所述原料物质气化，向腔室内装载所述基板的步骤；以及

向所述腔室内供给被气化的所述原料物质的步骤。

3.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于在将被气化的所述原料物质供给 之前或供给的同时，向所述腔室供给反应气体。

4.如权利要求3所述的薄膜制造方法，其特征在于

所述反应气体是与原料物质产生反应而形成薄膜的气体，其包括从含氧气体、含氮气 体、碳氢化合物、含硼气体及含硅气体中所选择的至少一种，其中所述碳氢化合物为CxHy， 在此1≤x≤9，4≤y≤20，y>2x。

5.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于一同供给被气化的所述原料物质 及载气。

6.如权利要求5所述的薄膜制造方法，其特征在于所述载气包括从氦、氩及氮中所选择 的至少一种。

7.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于所述原料物质的官能团包括从甲 基(-CH₃)、乙烷基(-C₂H₅)、苄基(-CH₂-C₆H₅)、苯基(-C₆H₅)、氨基(-NH₂)、硝基(-NO)、羟基(- OH)、甲酰基(-CHO)及羧基(-COOH)中选择的至少一个。

8.如权利要求7所述的薄膜制造方法，其特征在于在所述基板上形成的薄膜是含硅绝 缘膜。

9.如权利要求8所述的薄膜制造方法，其特征在于所述绝缘膜包括氧化膜、氮化膜、碳 化膜、氧化-氮化膜、碳化-氮化膜、硼化-氮化膜、碳化-硼化-氮化膜中的至少一种膜。

10.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于通过化学气相沉积法或原子层 沉积法在所述基板上制造薄膜。

11.如权利要求10所述的薄膜制造方法，其特征在于在所述腔室制造薄膜的时间内，装 载单一基板或多个基板。

12.如权利要求10所述的薄膜制造方法，其特征在于所述薄膜的制造温度范围是80至 700度。

13.如权利要求10所述的薄膜制造方法，其特征在于所述薄膜的制造压力范围是1至 700torr。

14.如权利要求10所述的薄膜制造方法，其特征在于在所述薄膜沉积方式中利用等离 子体。

15.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于在所述腔室内形成等离子体，将 薄膜制造温度定在80至250度的范围，制造硅氧化膜。

16.如权利要求15所述的薄膜制造方法，其特征在于使用C₄H₁₂Si原料物质来形成所述 氧化膜。

17.如权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于在所述腔室内形成等离子体，将 薄膜制造温度定在100至500度的范围，制造硅氮化膜。

18.如权利要求17所述的薄膜制造方法，其特征在于使用C₄H₁₂Si原料物质来形成所述 氮化膜。