[发明专利]装置及在装置中的方法有效

专利信息
申请号: 201380079012.1 申请日: 2013-07-04
公开(公告)号: CN105474535B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 李磊 申请(专利权)人: 诺基亚技术有限公司
主分类号: H03F3/26 分类号: H03F3/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 装置 中的 方法
【权利要求书】:

1.一种用于降低泄露电流的方法,包括:

经由第一转换速率调节器向推挽式电路的第一晶体管的输入提供输入信号;

经由第二转换速率调节器向所述推挽式电路的第二晶体管的输入提供所述输入信号;

使用所述第一转换速率调节器的并联的第一二极管和第一电阻器向所述第一转换速率调节器提供取决于所述输入信号的改变的方向的第一时间常数;

使用所述第二转换速率调节器的并联的第二二极管和第二电阻器向所述第二转换速率调节器提供取决于所述输入信号的改变的方向的第二时间常数;

当所述输入信号的幅度增加时,通过所述第一转换速率调节器和所述第二转换速率调节器影响所述输入信号以在所述第二晶体管关断之后将所述第一晶体管导通;以及

当所述输入信号的幅度减少时,通过所述第一转换速率调节器和所述第二转换速率调节器影响所述输入信号以在所述第一晶体管关断之后将所述第二晶体管导通。

2.根据权利要求1所述的方法,包括:

使用mosfet晶体管作为所述第一晶体管和所述第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法,包括使用第一电容器来调节所述第一时间常数,以及使用第二电容器来调节所述第二时间常数。

4.根据权利要求1或2所述的方法,包括使用所述第一晶体管的寄生电容来调节所述第一时间常数,以及使用所述第二晶体管的寄生电容来调节所述第二时间常数。

5.一种电子装置,包括:

推挽式电路,包括第一晶体管和第二晶体管;

输入,用于接收输入信号;

第一转换速率调节器,被适配成向所述第一晶体管的输入提供所述输入信号,所述第一转换速率调节器包括并联的第一二极管和第一电阻器;以及

第二转换速率调节器,被适配成向所述第二晶体管的输入提供所述输入信号,所述第二转换速率调节器包括并联的第二二极管和第二电阻器;

其中所述第一转换速率调节器的第一时间常数取决于所述输入信号的改变的方向,并且所述第二转换速率调节器的第二时间常数取决于所述输入信号的改变的方向。

6.根据权利要求5所述的装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是mosfet晶体管。

7.根据权利要求5所述的装置,其中并联的所述第一二极管和所述第一电阻器向所述第一转换速率调节器提供取决于所述输入信号的改变的方向的所述第一时间常数。

8.根据权利要求5所述的装置,其中所述第一转换速率调节器包括第一电容器,并且所述第二转换速率调节器包括第二电容器。

9.根据权利要求5到8中的任一项所述的装置,其中所述装置是移动通信设备的一部分。

10.一种用于降低泄露电流的装置,包括:

用于接收输入信号的装置;

用于向推挽式电路的第一晶体管的输入提供作为经低通滤波的信号的所述输入信号的装置;

用于向所述推挽式电路的第二晶体管的输入提供作为经低通滤波的信号的所述输入信号的装置;

用于向所述第一晶体管的所述输入提供所述输入信号的装置,包括用于根据所述输入信号的改变的方向来布置转换速率调节器的时间常数的装置;以及

用于向所述第二晶体管的所述输入提供所述输入信号的装置,包括用于根据所述输入信号的改变的方向来布置所述转换速率调节器的时间常数的装置,

其中用于向所述第一晶体管的所述输入提供所述输入信号的所述装置包括并联的第一二极管和第一电阻器;并且用于向所述第二晶体管的所述输入提供所述输入信号的所述装置包括并联的第二二极管和第二电阻器。

11.根据权利要求10所述的装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是mosfet晶体管。

12.根据权利要求10或11所述的装置,其中用于向所述第一晶体管的所述输入提供所述输入信号的所述装置包括第一电容器;并且用于向所述第二晶体管的所述输入提供所述输入信号的所述装置包括第二电容器。

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