[发明专利]闪存中功率消耗的减小

说明书

本技术大致描述用于减少闪存中功率消耗的系统、设备和方法。在一些示例中，误码率估计器模块可以估计两个或更多个误码率。两个或更多个误码率可以与从存储器读取的相应电压的施加相关联。电压设置模块可以被配置为与误码率估计器模块通信。电压设置模块可以被配置为选择从存储器读取的电压。电压可以基于两个或更多个误码率和基于误差校正水平进行选择。误差校正水平可以是可用于校正来自存储器的读取误差的容差水平。

背景技术

除非本文中另外指出，本文中所描述的材料不是本申请中权利要求的现有技术并且并不能因包含在本部分中而成为现有技术。

基于闪存的固态数据存储设备可以被用于处理密集数据存取工作负载。闪存系统可以包括由固态存储器控制器控制的大批量晶体管。闪存系统内的每个晶体管可以被配置为存储一比特数据。固态存储器控制器可以被配置为控制访问被存储在闪存存储系统的晶体管内的数据。闪存中的晶体管可以具有有限数量的程序/擦除周期。

概述

在一个示例中，大致描述了一种存储器控制器。该存储器控制器包括误码率估计器模块。所述误码率估计器模块可以被配置为估计两个或更多个误码率。所述两个或更多个误码率可以与从存储器读取的相应电压的施加相关联。存储器控制器可以进一步包括电压设置模块。电压设置模块可以被配置为与误码率估计器模块通信。电压设置模块可以进一步被配置为选择从存储器读取的电压。所述电压可以基于所述两个或更多个误码率和基于误差校正水平而被选择。所述误差校正水平可以是可用于校正来自存储器的读取误差的容差水平。

在一个示例中，描述了一种操作存储器的方法。该方法可以包括估计两个或更多个误码率。两个或更多个误码率可以与从存储器读取的相应电压的施加相关联。该方法可以进一步包括可用于校正来自存储器的读取误差的识别误差校正水平。该方法可以进一步包括选择从存储器读取的电压。电压可以基于所估计的两个或更多个误码率和所识别的误差校正水平而被选择。

在一个示例中，大致描述了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质可以包括存储在其上的一个或多个控制器可执行指令。响应于控制器的执行，一个或多个控制器可执行指令可以使控制器适于执行以下步骤或使以下步骤被执行：估计两个或更多个误码率。所述两个或更多个误码率可以与从存储器读取的相应电压的施加相关联。响应于控制器的执行，所述一个或多个控制器可执行指令可以使控制器适于执行以下步骤或使以下步骤被执行：识别可用于校正来自存储器的读取误差的误差校正水平。响应于控制器的执行，所述一个或多个控制器可执行指令可以使控制器适于执行以下步骤或使以下步骤被执行：选择从存储器读取的电压。所述电压可以基于所述两个或更多个误码率和所述误差校正水平而被选择。

前面的概述仅仅是示例性的，而不意在以任何方式进行限制。通过参考附图以及下面的详细说明，除了上文所描述的示例性的方案、实施例和特征之外，另外的方案、实施例和特征将变得清晰可见。

附图说明

通过下面结合附图给出的详细说明和随附的权利要求，本公开的前述特征以及其它特征将变得更加清晰。应理解的是，这些附图仅描绘了依照本公开的多个实施例，因此，不应视为对本发明范围的限制，将通过利用附图结合附加的具体描述和细节对本公开进行说明。

图1示出了能够用于实施闪存中功率消耗的减少的示例系统；

图2描述了图1的示例系统，示出了关于误码率估计器的其他细节；

图3描述了图1的示例系统，示出了关于数据传输的示例；

图4描述了图1的示例系统，示出了关于数据传输和检测的示例；

图5描述了实施闪存中功率消耗的减少的示例方法的流程图；

图6示出了能够用于实施闪存中功率消耗的减少的示例计算机程序产品；