[发明专利]非水电解质电池用电极、非水电解质电池及电池包有效

专利信息
申请号: 201380079327.6 申请日: 2013-09-20
公开(公告)号: CN105518909B 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 保科圭吾;五十崎义之;稻垣浩贵;高见则雄 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01M4/136 分类号: H01M4/136;H01M4/485;H01M4/58
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 吴倩;张楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 水电 电池 用电
【说明书】:

根据实施方式,提供一种非水电解质电池用电极。该电极包含集电体和形成在该集电体上的电极层。电极层含有用LiMn1‑x‑yFexAyPO4(式中,0<x≤0.3、0≤y≤0.1,A为选自Mg、Ca、Al、Ti、Zn及Zr中的至少1种)表示的活性物质。在用水银压入法得到的电极层的细孔径分布中频度最高的细孔径在10nm以上且50nm以下的范围内。电极层的细孔比表面积为12m2/g以上且30m2/g以下。

技术领域

本发明的实施方式涉及非水电解质电池用电极、非水电解质电池及电池包。

背景技术

通过使锂离子在负极与正极之间移动而进行充放电的非水电解质电池作为高能量密度电池,研究一直十分活跃地进行。

该非水电解质电池除了作为小型电子设备用电源的利用以外,还期待着作为大中型电源的利用。在这样的大中型用途中,要求寿命特性及高的安全性。

作为非水电解质电池的正极活性物质,例如使用锂过渡金属复合氧化物。作为过渡金属,使用Co、Mn或Ni等。近年来,作为廉价且安全性高的正极材料,对尖晶石型锰酸锂及橄榄石型磷酸铁锂、橄榄石型磷酸锰锂等橄榄石型化合物的研究十分活跃。

其中,橄榄石型化合物因电子传导性低而难得到良好的速率特性。其中尤其难得到具有良好的充放电特性的磷酸锰锂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-34306号公报

非专利文献

非专利文献1:Advanced Functional Materials.2010,20,3260-3265

发明内容

发明所要解决的问题

本发明要解决的问题在于,提供能够实现可显示优异的速率特性的非水电解质电池的非水电解质电池用电极、具备该电极的非水电解质电池及包含该非水电解质电池的电池包。

用于解决问题的手段

根据第1实施方式,提供一种非水电解质电池用电极。该电极包含集电体和形成在该集电体上的电极层。电极层含有用LiMn1-x-yFexAyPO4(式中,0&lt;x≤0.3、0≤y≤0.1,A为选自Mg、Ca、Al、Ti、Zn及Zr中的至少1种)表示的活性物质。在用水银压入法得到的电极层的细孔径分布中频度最高的细孔径在10nm以上且50nm以下的范围内。电极层中的细孔比表面积为12m2/g以上且30m2/g以下。

根据第2实施方式,提供一种非水电解质电池。该非水电解电池具备负极、正极和非水电解质。正极为第1实施方式涉及的电极。负极含有负极活性物质。

根据第3实施方式,提供一种电池包。该电池包包含第2实施方式涉及的非水电解质电池。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的一个例子的电极的概略局部剖视图。

图2是第2实施方式涉及的一个例子的扁平型非水电解质电池的剖视图。

图3是图2的A部的放大剖视图。

图4是示意性地表示第2实施方式涉及的另一个例子的扁平型非水电解质电池的局部切口立体图。

图5是图4的B部的放大剖视图。

图6是第3实施方式涉及的一个例子的电池包的分解立体图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380079327.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top