[发明专利]利用垂直馈穿部进行的晶片级气密包装方法

权利要求书

1.一种用于MEMS部件(4)的晶片级气密包装的方法，该方法包括：

·提供第一基板(2；50)，该第一基板具有MEMS部件(4)、所述MEMS部件(4)的导电引线(6；46)、将所述MEMS部件(4)的一些部分保持为距所述基板的表面处于预定偏移的锚固件(10)以及完全包围所述MEMS部件(4)和所述导电引线(6；46)的密封区域(12)；

·提供第二基板(16)，该第二基板(16)是包括第一硅层(18)、第二硅层(22)和夹在所述第一硅层(18)和所述第二硅层(22)之间的埋设氧化物层(20)的SOI基板；

·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而通过对所述第二硅层(22)进行掩模贯穿蚀刻直至到达所述埋设氧化物层(20)而形成一个或多个过孔(24)；

·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而对所述埋设氧化物层(20)的经由所述过孔(24)暴露的部分进行完全蚀刻；

·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而通过对所述第一硅层(18)进行贯穿蚀刻直至到达所述埋设氧化物层(20)而同时形成密封壁(26)、空腔(30)和多个垂直馈穿部(28)；

对所述第二基板(16)进行微加工，从而在所述垂直馈穿部(28)的暴露于先前形成的过孔(24)的表面上形成金属焊盘(38)；

·将所述第一基板(2；50)的所述密封区域(12)结合至所述第二基板(16)的所述密封壁(26)，使得所述第一基板(2)上的所述MEMS部件(4)被封装在由所述第二基板(16)的所述空腔(30)和所述第一基板(2)限定的封闭容积中，并且同时将所述第一基板(2)的所述导电引线(6；46)结合至所述第二基板(16)的对应垂直馈穿部(28)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，与封闭的MEMS部件(4)的电连接通过从铺设在垂直馈穿部(28)上的所述金属焊盘(38)引出的焊线(40)来实现。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二基板(16)包含吸气材料(34)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基板(2；50)或所述第二基板(16)或者所述第一基板和所述第二基板这二者包含通过CMOS或IC制造过程制造的集成电路。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封区域(12)由玻璃制成，所述密封区域(12)或所述密封壁(26)或所述密封区域(12)和所述密封壁(26)这二者包含位于其上的密封材料(14)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述结合包括共熔或瞬间液相结合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封区域(12)由玻璃制成，所述密封区域(12)或所述密封壁(26)都不包含位于其上的密封材料(14)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述结合包含硅玻璃阳极结合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封区域(12)由硅制成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述密封区域(12)或所述密封壁(26)或所述密封区域(12)和所述密封壁(26)这二者包含位于其上的密封材料(14)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述结合包括共熔或瞬间液相结合。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述密封区域(12)或所述密封壁(26)都不包含位于其上的密封材料(14)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述结合包含硅熔结合。