[发明专利]用于施加接合层的方法

权利要求书

1.用于将第一基板与第二基板接合的方法，其中将由基本层及保护层组成的接合层施加到第一基板上，所述方法具有以下方法步骤：

将可氧化的基本材料作为基本层施加到第一基板的接合侧上，

用可至少部分地溶解于所述基本材料中的保护材料作为保护层以小于100nm的厚度至少部分地覆盖所述基本层，

接合两个基板，其中所述保护材料在接合期间完全溶解于基本材料中，而不形成液相，

其中所述接合在接合温度下进行，所述接合温度低于所述基本材料和所述保护材料的共晶系统的共晶温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基本材料是氧亲和性的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基本材料至少占大部分地由铝和/或铜组成。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述基本材料的施加和/或用所述保护材料覆盖所述基本材料通过沉积来实现。

5.根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，以相对于气氛至少占大部分地密封所述基本层的方式施加所述保护层。

6.根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，以相对于气氛完全地密封所述基本层的方式施加所述保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在接合步骤之前利用以下工艺中的一个或多个处理所述保护层：

化学的氧化物移除，

物理的氧化物移除，

离子辅助化学蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在接合步骤之前利用以下工艺中的一个或多个处理所述保护层：

通过气体还原剂和/或液体还原剂的化学的氧化物移除，

借助等离子体的物理的氧化物移除，

快速离子轰击，

研磨，和/或

抛光。

9.根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，选择以下材料中的一个或多个作为基本材料和/或保护材料：

金属，

碱金属，

碱土金属，

合金，

半导体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述半导体是元素半导体或化合物半导体。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述金属包括Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Sn、Zn、Ga，

所述碱金属包括Li、Na、K、Rb、Cs，

所述碱土金属包括Mg、Ca、Sr、Ba，

所述半导体配备有相应的掺杂。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述元素半导体包括Si、Ge、Se、Te、B、Sn，

所述化合物半导体包括GaAs、GaN、InP、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe₂、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、BeSe、HgS、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaS₂、SiC、SiGe。

13.基板，其利用根据上述权利要求之一所述的方法进行接合。