[发明专利]谐振型高频电源装置以及谐振型高频电源装置用开关电路有效

专利信息
申请号: 201380080599.8 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN105684291B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 阿久泽好幸;酒井清秀;江副俊裕;伊藤有基 申请(专利权)人: 三菱电机工程技术株式会社
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H02J50/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 谐振 高频 电源 装置 以及 开关电路
【说明书】:

本发明涉及一种谐振型高频电源装置,具有进行开关动作的功率元件,该谐振型高频电源装置具有高频脉冲驱动电路(1),该高频脉冲驱动电路(1)向功率元件发送超过2MHz的高频脉冲状的电压信号,驱动该功率元件,并且利用来自高频脉冲驱动电路(1)的电压信号的信号线的阻抗和功率元件的寄生电容,使该电压信号进行部分谐振。

技术领域

本发明涉及一种以高频进行电力传输的谐振型高频电源装置以及谐振型高频电源装置用开关电路。

背景技术

图15所示的以往的谐振型高频电源装置中,作为功率元件Q1,使用了用于RF(Radio Frequency,射频)的高频FET(Field Effect Transistor,场效应晶体管)。而且,为了驱动该高频FET,使用了变压器型驱动电路101和RF功率放大器电路102,并且为了驱动RF功率放大器电路102,使用了多输出型电源电路103(例如参照非专利文献1)。

【现有技术文献】

【非专利文献】

非专利文献1:晶体管技术2005年2月号13章

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是,非专利文献1中公开的以往结构中,为了驱动功率元件Q1,使用了变压器型驱动电路101,并且作为功率元件Q1的Vgs驱动信号,施加了交流的正弦波电压。因此,在使功率元件Q1断开的期间内,会对Vgs施加负电压,因此会在功率元件Q1的寄生电容即Cgs和Cgd中积蓄与该负电压相当的电荷(Q=CV)。而且,为了在下一个期间内使功率元件Q1导通,必须将该积蓄的电荷放一次电,然后再用正电压进行充电。而且,由于要通过重复这种动作来开关功率元件Q1,所以会存在需要较大的电力来驱动功率元件Q1的课题。

此外,上述驱动动作还是使延迟功率元件Q1的开关速度变慢的主要原因。因此,其会导致功率元件Q1的开关损耗的增加。因此,存在以下课题:即作为高频电源装置的功耗大,其成为功率转换效率降低的原因。

本发明是为了解决上述课题而完成的,其目的在于提供一种谐振型高频电源装置以及谐振型高频电源装置用开关电路,其通过不使用变压器型驱动电路而驱动功率元件,从而以低功耗来实现高效率化,并且能够进行超过2MHz的高频动作。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明所涉及的谐振型高频电源装置具有进行开关动作的功率元件,该谐振型高频电源装置具有高频脉冲驱动电路,该高频脉冲驱动电路向功率元件发送超过2MHz的高频脉冲状的电压信号,驱动该功率元件,并且利用来自高频脉冲驱动电路的电压信号的信号线的阻抗和功率元件的寄生电容,使该电压信号进行部分谐振。

发明效果

根据本发明,由于采用如上结构,因此可通过不使用变压器型驱动电路而驱动功率元件,从而以低功耗来实现高效率化,并且能够进行超过2MHz的高频动作。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的结构的图(功率元件为单一结构时)。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的V1波形与Vg波形的关系的图。

图3是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其他结构的图(使用混合化的元件时)。

图4是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其他结构的图(使用混合化的元件时)。

图5是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其他结构的图(使用混合化的元件时)。

图6是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其他结构的图(使用混合化的元件时)。

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