[发明专利]高对比度光栅光电子器件有效
申请号: | 201380080621.9 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN105706316B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | S·V·马塔伊;迈克尔·瑞恩·泰·谭;戴维·A·法塔勒;韦恩·V·瑟林 | 申请(专利权)人: | 慧与发展有限责任合伙企业 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 张涛;吴丽丽 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对比度 光栅 光电子 器件 | ||
1.一种高对比度光栅光电子设备,包括:
位于基板的前表面处的光电子装置,所述光电子装置通过所述基板的与所述前表 面相对的后表面来发射光和/或检测光;以及
高对比度光栅(HCG)透镜,临近于所述基板的所述后表面并且通过间隔物与所 述后表面间隔开,所述HCG透镜用于聚焦所述光,
其中所述间隔物包括晶片键合基板和/或位于所述HCG透镜与所述基板的后表面 之间的腔。
2.如权利要求1所述的高对比度光栅光电子设备,其中所述光电子装置包括背射 式垂直腔表面发射激光器(BE-VCSEL),由所述HCG透镜聚焦的所述光是BE-VCSEL 的激光辐射。
3.如权利要求1所述的高对比度光栅光电子设备,其中所述光电子装置包括光电 二极管,所述HCG透镜将所述光聚焦到所述光电二极管的有源区上。
4.如权利要求1所述的高对比度光栅光电子设备,进一步包括在所述基板上的、 位于所述HCG透镜与所述基板的后表面之间的增透膜。
5.如权利要求1所述的高对比度光栅光电子设备,其中所述HCG透镜被封装在 封装材料中。
6.一种采用高对比度光栅的光电子设备,包括:
透明基板,具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述透明基板传 输所述光电子设备的可操作波长的光;
光电子层,位于所述透明基板的所述第一表面处,所述光电子层发射所述光和/或 检测所述光;以及
高对比度光栅(HCG)层,临近于所述透明基板的所述第二表面并且通过间隔层 与所述第二表面间隔开,所述HCG层提供HCG透镜以聚焦所述光,
其中所述间隔层包括晶片键合支撑基板和/或腔,以将所述HCG透镜悬浮在所述 透明基板的第二表面上方。
7.如权利要求6所述的采用高对比度光栅的光电子设备,其中所述光电子层包括 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和/或光电二极管,所述VCSEL在朝向所述第二表 面的方向上发射光,所发射的光由所述HCG透镜聚焦,所述光电二极管由来自所述 第二表面的光照射并且检测所述光,所述光由所述HCG透镜聚焦到所述光电二极管 上。
8.如权利要求6所述的采用高对比度光栅的光电子设备,其中所述HCG透镜将 所述光聚焦到光纤内和/或将来自光纤的光聚焦到所述光电子层上以照射所述光电子 层。
9.如权利要求6所述的采用高对比度光栅的光电子设备,其中所述间隔层包括位 于所述HCG层与所述透明基板的第二表面之间的腔,所述光电子设备进一步包括晶 片键合基板以将所述HCG层支撑在所述晶片键合的基板的表面上,所述HCG层在所 述晶片键合基板与所述透明基板的第二表面之间。
10.如权利要求6所述的采用高对比度光栅的光电子设备,其中所述间隔层包括 晶片键合支撑基板,所述HCG层位于所述晶片键合基板的、与所述晶片键合支撑基 板的临近于所述透明基板的第二表面的表面相对的表面上。
11.一种基于高对比度光栅的光电子器件的制造方法,所述方法包括:
提供光电子基板,所述光电子基板将光电子装置支撑在前表面上并且在所述光电 子基板的所述前表面与后表面之间传输光;以及
形成高对比度光栅(HCG)透镜,所形成的HCG透镜临近于所述光电子基板的 后表面并且通过间隔物与所述后表面间隔开以聚焦所传输的光,
其中所述间隔物位于所述光电子基板与所述HCG透镜之间,并且包括腔和/或晶 片键合基板。
12.如权利要求11所述的基于高对比度光栅的光电子器件的制造方法,其中形成 所述HCG透镜包括:
将HCG层沉积到所述光电子基板的所述后表面上的间隔层上;
图案化所述HCG层;
刻蚀图案化的HCG层,以限定所述HCG透镜;以及
释放所述HCG透镜,以在所述光电子基板的后表面与所述HCG透镜之间的所述 间隔层中形成所述腔。
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