[发明专利]具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件有效
申请号: | 201380081717.7 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN105830218B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 葛宁;杨建华;李智勇 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;G11C7/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 刘瑜,王英 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 辅助 开关 控制 非易失性存储器 元件 | ||
1.一种具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件,包括:
热元件,用于加热电阻式存储器元件;以及
所述电阻式存储器元件,布置在所述热元件上;
其中,所述热元件将所述电阻式存储器元件加热到不同的温度状况,以执行不同的任务。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器元件,其中,所述电阻式存储器元件是记忆电阻器。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器元件,其中,所述热元件是热喷墨电阻器,所述非易失性存储器元件进一步包括所述热喷墨电阻器、在所述热喷墨电阻器上的钝化层、以及在所述钝化层上的所述电阻式存储器元件。
4.如权利要求3所述的非易失性存储器元件,其中,所述热喷墨电阻器包括布置在相对高电阻率的导电材料上的相对低电阻率的导电材料。
5.如权利要求4所述的非易失性存储器元件,其中,所述热喷墨电阻器是从由如下各项构成的组中选出的:AlCu在TaAl上、AlCu在WSiN上、AlCu在TaAlOx上、AlCu在TiN上、TaAl在TiN/AlCu上、WSiN在TiN/AlCu上、TaAlOx在TiN/AlCu上、以及TiN在TiN/AlCu上。
6.如权利要求3所述的非易失性存储器元件,其中,所述钝化层是从由氮化硅、碳化硅以及二氧化硅构成的组中选出的。
7.如权利要求3所述的非易失性存储器元件,其中,所述电阻式存储器元件是记忆电阻器,所述记忆电阻器具有包括底电极、有源区以及上电极的结构。
8.一种制造多级编程非易失性存储器元件的方法,包括将非易失性存储器元件布置在热元件上,其中:
所述非易失性存储器元件具有多个状态,每个状态与温度和电偏压相关联;
所述热元件将所述非易失性存储器元件的电阻式存储器元件加热到多个温度,以将所述电阻式存储器元件置于不同的状态。
9.如权利要求8所述的方法,包括:
提供热喷墨电阻器作为所述热元件;
将钝化层形成在所述热喷墨电阻器上;以及
将所述非易失性存储器元件形成在所述钝化层上。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述热喷墨电阻器包括布置在相对高电阻率的导电材料上的相对低电阻率的导电材料。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述热喷墨电阻器是从由下列各项构成的组中选出的:AlCu在TaAl上、AlCu在WSiN上、AlCu在TaAlOx上、AlCu在TiN上、TaAl在TiN/AlCu上、WSiN在TiN/AlCu上、TaAlOx在TiN/AlCu上、以及TiN在TiN/AlCu上。
12.如权利要求9所述的方法,其中,所述钝化层是从由氮化硅、碳化硅以及二氧化硅构成的组中选出的。
13.如权利要求9所述的方法,其中,所述非易失性存储器元件是记忆电阻器,所述记忆电阻器具有包括底电极、有源区以及上电极的结构。
14.一种对将在热元件上的非易失性存储器元件包括的多级编程非易失性存储器元件进行操作的方法,所述方法包括:
提供将在所述热元件上的所述非易失性存储器元件包括的所述多级编程非易失性存储器元件;
将不同的温度和电偏压与不同的逻辑状态相关联;
向所述热元件供给能量以将所述非易失性存储器元件加热到预选温度;以及
将信息存储在所述非易失性存储器元件中。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述非易失性存储器元件具有多个状态,每个状态与温度和电偏压的组合相关联。
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