[其他]可变电容元件、高频设备以及通信装置有效
申请号: | 201390000526.9 | 申请日: | 2013-05-27 |
公开(公告)号: | CN204442303U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 竹岛裕;中矶俊幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H5/00 | 分类号: | H03H5/00;H01G7/06;H01L23/522;H01L23/64;H04B5/02;G06K19/07 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可变电容 元件 高频 设备 以及 通信 装置 | ||
1.一种可变电容元件,其特征在于,
具备:
铁电体电容器,其具有铁电体膜和夹着该铁电体膜的电容器电极,并且电容值根据施加于所述电容器电极间的控制电压值而变化;和
控制电压施加电路,其具有电阻分压电路,该电阻分压电路由第一端与多个控制端子分别连接,第二端与共用连接点连接的多个电阻元件形成,所述控制电压施加电路将所述共用连接点的电压施加于所述铁电体电容器,
所述电阻分压电路由共用连接点相互独立的多组电阻分压电路构成,所述电阻分压电路通过所述铁电体电容器或者其它电容器而成为直流非导通状态。
2.根据权利要求1所述的可变电容元件,其特征在于,
所述多个电阻元件是设置在基板上的电阻图案,所述电阻图案形成为,所述多个电阻元件的电阻值成为以它们的电阻值中最低的作为基准而进行2的乘幂的比率。
3.根据权利要求2所述的可变电容元件,其特征在于,
在所述基板上通过薄膜处理形成所述可变电容元件和所述控制电压施加电路,在所述基板上的同一层通过同一处理形成所述多个电阻元件。
4.根据权利要求3所述的可变电容元件,其特征在于,
所述可变电容元件包括多个与所述铁电体电容器的两端并联连接的RF电阻元件,这些RF电阻元件设置在与所述多个电阻元件不同的层。
5.一种高频设备,其特征在于,
所述高频设备被构成为在一个芯片设置权利要求1或2所述的可变电容元件、和与所述可变电容元件的所述控制端子连接的RFIC。
6.一种通信装置,具有天线线圈、与所述天线线圈连接的可变电容元件、以及与所述可变电容元件连接的RFIC,
所述通信装置的特征在于,
所述可变电容元件具备:
铁电体电容器,其具有铁电体膜和夹着该铁电体膜的电容器电极,并且电容值根据施加于所述电容器电极间的控制电压值而变化;和
控制电压施加电路,其具有电阻分压电路,该电阻分压电路由第一 端与多个控制端子分别连接,第二端与共用连接点连接的多个电阻元件形成,所述控制电压施加电路将所述共用连接点的电压施加于所述铁电体电容器,
所述电阻分压电路由共用连接点相互独立的多组电阻分压电路构成,所述电阻分压电路通过所述铁电体电容器或者其它电容器而成为直流非导通状态,所述可变电容元件在等候时被设定为与所述多组电阻分压电路中至少一个电阻分压电路连接的所述控制端子的全部为H电平或者全部为L电平的状态的不流通旁漏电流的状态。
7.根据权利要求6所述的通信装置,其特征在于,
所述多个电阻元件是设置在基板上的电阻图案,所述电阻图案形成为,所述多个电阻元件的电阻值成为以它们的电阻值中最低的作为基准而进行2的乘幂的比率。
8.根据权利要求7所述的通信装置,其特征在于,
在所述基板上通过薄膜处理形成所述可变电容元件和所述控制电压施加电路,在所述基板上的同一层通过同一处理形成所述多个电阻元件。
9.根据权利要求8所述的通信装置,其特征在于,
所述可变电容元件包括多个与所述铁电体电容器的两端并联连接的RF电阻元件,这些RF电阻元件设置在与所述多个电阻元件不同的层。
10.根据权利要求6或7所述的通信装置,其特征在于,
所述通信装置被构成为在一个芯片设置与所述可变电容元件的所述控制端子连接的RFIC。
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