[发明专利]一种大功率MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种大功率MOSFET驱动电路，其特征在于，包括硬件死区电路、脉冲封锁电路、光耦隔离电路、外围电路和自举回路，硬件死区电路包括反相器、两个RC充放电电路、两个与非门，PWM信号输入接第一与非门输入端，第一与非门另一输入端接RC充放电路，得到PWM1驱动信号，同时PWM信号输入经过反相器输入接第二与非门输入端，第二与非门另一输入端接RC充放电电路，得到PWM2驱动信号；Protect保护信号输入脉冲封锁电路的反相器后接脉冲封锁电路的两个与非门输入，硬件死区电路输出PWM1驱动信号和PWM2驱动信号接脉冲封锁电路的两个与非门输入，脉冲封锁电路的两个与非门输出分别进入光耦隔离电路进行隔离；对应PWM1驱动信号一路隔离后接外围电路，输出PWM1-D驱动信号，同时此路光耦隔离电路的电源和地信号端接自举回路，自举回路由二极管和充电电容串联组成，自举回路输出Ua信号；对应PWM2驱动信号一路隔离后直接接外围电路，输出PWM2-D驱动信号；外围电路由门级限流电阻上并联了一电阻和反相二极管串联的电路组成，驱动信号PWM1-D驱动信号与上桥臂的Mosfet的栅极相连，Ua信号与上桥臂的中点相连，即上桥臂的Mosfet的源极相连，PWM2-D驱动信号与下桥臂的Mosfet的栅极相连，地信号端GND与下桥臂的Mosfet的源极相连。

2.根据权利要求1所述大功率MOSFET驱动电路，其特征在于，所述门级限流电阻选取5到10欧姆电阻，反相二极管采用超快恢复二极管。

3.根据权利要求1所述大功率MOSFET驱动电路，其特征在于，所述自举回路中二极管为快恢复二极管。