[发明专利]新型薄片键合方法

权利要求书

1.新型薄片键合方法，其特征在于：

步骤一，首先准备形状与硅片相同的母片（110），采用未经减薄的硅片作为母片（110）或使用材料加工该形状的母片（110）；所述步骤一中的母片（110）厚度为200μm到500μm；

步骤二，在靠近母片（110）边缘的局部贴上耐高温真空用双面胶（210、211、212），所述耐高温真空用双面胶所在区域在距离母片边沿1cm以内，贴耐高温真空用双面胶的位置不少于两处；

所述耐高温真空用双面胶（210、211、212）为聚酰亚胺双面胶带，双面涂覆硅胶，总厚度介于50μm~150μm；所述聚酰亚胺双面胶带面积为1mm²到100mm²之间；且所述聚酰亚胺双面胶带的宽度不超过1cm；

步骤三，在母片（110）上贴上硅片（310），所述硅片（310）包括多个半导体器件； 所述步骤三中所述硅片（310）的厚度需减薄至50μm到150μm ；

所述步骤三母片（110）上贴上硅片（310）对齐粘贴后，进行溅射、光刻、清洗、甩干、离子注入和刻蚀工序；

步骤四，上述工序结束后，将耐高温真空用双面胶（210、211、212）沿直线切割，切边与双面胶（210、211、212）内侧边的距离小于1cm，以保证完全切除双面胶，硅片（310）最终形成。

2.根据权利要求1所述的新型薄片键合方法，其特征在于：所述步骤一使用材料包括玻璃、不锈钢或铝合金。

3.根据权利要求1所述的新型薄片键合方法，其特征在于：所述步骤一中的母片（110）厚度为450μm。

4.根据权利要求1所述的新型薄片键合方法，其特征在于：所述步骤三中所述硅片（310）的厚度需减薄至100μm。

5.根据权利要求1所述的新型薄片键合方法，其特征在于：溅射工序中，硅片(310)朝向靶材，温度为室温或加热，加热温度不超过250℃；光刻包括涂胶、曝光、显影三个部分，光刻工序中光刻胶厚度不超过5μm，涂胶、显影工序中进行加热固胶，加热温度不超过150℃；清洗工序中使用的清洗溶液包括硫酸、氢氟酸、双氧水、盐酸、氟化铵及其混合溶液；甩干工序中转速不超过3000转/分钟；离子注入工序中能量介于20kev-2Mev；刻蚀工序中气体包括六氟化硫、氯气、三氟甲烷、溴化氢及其混合气体。