[发明专利]单极性低温等离子体电源有效
申请号: | 201410000814.5 | 申请日: | 2014-01-02 |
公开(公告)号: | CN103683981A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王凌云;刘宏伟;李杰;李喜;章林文;李洪涛;王传伟;袁建强;姜苹;马勋;丁胜 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H02M3/335;H02M1/14;H05H1/24 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谢敏 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极性 低温 等离子体 电源 | ||
1.单极性低温等离子体电源,其特征在于:包括依次连接的交流变换单元、波形整形单元和材料表面处理单元,所述的交流变换单元包括变压器T1和整流器D1,所述的变压器T1一端连接市电,另一端经整流器D1连接到波形整形单元,所述的波形整形单元包括变压器T3、功率开关管Q1和方波发生器T2,所述的变压器T3的原边的一个端口连接到交流变换单元,另一个端口经功率开关管Q1接地,功率开关管Q1的控制端连接到方波发生器T2,所述的材料表面处理单元包括两个平行相隔的电极板,该两个电极板分别连接到变压器T3的副边的两个端口上,两个电极板上还并联有一个放电电阻R2。
2.根据权利要求1所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述的波形整形单元与材料表面处理单元之间设置有一个波形二次整形单元,所述的波形二次整形单元包括二极管D2、二极管D3、调节电阻R1和调节电容X1,所述的二极管D2、二极管D3、调节电阻R1依次串联后,前端接变压器T3,后端接材料表面处理单元中的高压电极板,所述的调节电容X1并联在材料表面处理单元的两个电极板上。
3.根据权利要求1所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述的变压器T3为多原边变压器,变压器T3的所有原边中的都有一端口连接到功率开关管Q1,剩下的端口各自通过一个开关连接到交流变换单元。
4.根据权利要求3所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述的变压器T3与交流变换单元之间还设置有一个电感L1和一个单刀双掷的开关J1,电感L1的一端连接交流变换单元,另一端连接开关J1的其中一个不动端,开关J1另一个不动端连接交流变换单元,开关J1的动端连接到变压器T3。
5.根据权利要求1所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述的交流变换单元与波形整形单元之间还设置有一个滤波器,所述的滤波器包括极性电容C1和非极性电容C2。
6.根据权利要求1所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述方波发生器T2为MAX308。
7.根据权利要求1所述的单极性低温等离子体电源,其特征在于,所述的功率开关管Q1采用高压IGBT。
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