[发明专利]一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 201410001040.8 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103746036A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王林军;杨溢铭;周捷;任兵;王君楠;黄健;唐可;张继军;夏义本 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 辐射 探测器 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：
a、非晶碳石墨层的制备
采用纯碳靶，使用直流磁控溅射方法在单晶金刚石薄膜上溅射非晶碳石墨，系统的本底真空2×10-4到5×10-4Pa；溅射的工作气体是Ar气体, Ar的流量为10到15标准毫升/分；总气压在0.3-0.8Pa；溅射功率一般为90-120W；溅射时间为5-15分钟；非晶碳石墨层厚度为5-30nm；
b、金属Pt和Au的制备
采用Pt靶，通过离子溅射法在非晶碳石墨层上制备金属层Pt；溅射过程中，工作气压为0.75-0.85Pa，离子流1.8-2mA，溅射时间为12-15分钟，Pt层厚度40-60nm；溅射完成后，再采用Au靶，通过相同的工艺参数在Pt层上面溅射Au，Au层的厚度为120-160nm；
c、退火
采用传统的退火工艺，将制作好的电极在氮气氛下退火；退火温度为350-450℃，时间为10-20分钟；最终制得金刚石薄膜上的C-Pt-Au三层欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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