[发明专利]一种新型的磁反馈电路有效

专利信息
申请号: 201410002406.3 申请日: 2014-01-03
公开(公告)号: CN103760938A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 单文锋;张东来;王超;陈淡生 申请(专利权)人: 深圳市航天新源科技有限公司
主分类号: G05F1/13 分类号: G05F1/13
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡玉
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 反馈 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及隔离反馈电路领域,尤其涉及一种新型的磁反馈电路。

背景技术

光耦隔离反馈在工业应用中最为广泛,但是受限于光耦固有的发光二极管及光敏器件的老化问题,其使用寿命、可靠性远远不如磁隔离反馈。在一些特殊场合(如航天、航天电源)必须采用磁反馈技术。

磁反馈是利用高频开关量驱动反馈磁变压器,通过变压器的把副边的采样量变换到原边进行闭环控制。目前常用的磁反馈技术主要以IR、VPT及TI的UC1901系列芯片为主,这些技术各有优缺点:IR的磁反馈技术器件较多,需要在原边产生一个电流源,占用电源空间较大;VPT的磁反馈技术需要两个磁环,体积较大;TI的磁反馈技术需要专门控制芯片,高等级芯片价格昂贵且较难获得。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型的磁反馈电路,利用控制芯片的时钟脚驱动磁反馈变压器,器件数量较少,动态特性好。

本发明的技术方案是一种新型的磁反馈电路,包括:

采样分压单元,用于对电源的输出电压Vout进行分压采样,并输出采样的电压信号;

误差放大单元,对所述采样分压单元输出的电压信号进行比较和误差放大,并输出该误差放大信号;

磁隔离反馈单元,将所述误差放大信号耦合到原边;

充电单元,原边的高频CLK信号给保持电容C1充电;

环路补偿单元,用于给误差放大单元进行环路补偿;

其中,所述充电单元包括晶体二极管D1、电阻R1和控制芯片,所述二极管D1的阳极连接所述控制芯片的时钟引脚CLK,二极管D1的阴极通过电阻R1连接保持电容C1的一端;

所述磁隔离反馈单元包括磁反馈变压器TX和开关管Q1,所述磁反馈变压器TX的第1端连接电阻R1和保持电容C1,磁反馈变压器TX的第2端连接开关管Q1的漏极,磁反馈变压器TX的第3端连接磁隔离反馈单元的输入端;所述开关管Q1的源极连接保持电容C1的一端,开关管Q1的栅极连接所述控制芯片的时钟引脚CLK。初始条件下,副边的误差放大单元没上电,其输出处于高阻状态,原边的高频的CLK信号通过D1和R1给保持电容C1充电,芯片发出PWM驱动开关管Q1,电源开始工作,输出电压Vout上升,副边的误差放大电路上电工作;当输出电压Vout上升超过设定时,误差放大单元的输出Vo变为零,原边采样电压Vc也随即变为低电平,控制芯片关闭PWM输出,该反馈回路在每个CLK信号周期内动态调整输出电压,使其保持为设定值,实现了闭环控制。该技术方案不需要专门的芯片或者电流源,只需利用控制芯片的时钟脚驱动磁反馈变压器,器件数量较少,动态特性好。

进一步地,所述误差放大单元包括电阻R4和三端稳压芯片TL431,所述三端稳压芯片TL431的阴极通过电阻R4连接输出电压的采样点,三端稳压芯片TL431的阳极接地,三端稳压芯片TL431的参考极连接所述采样分压单元;磁反馈变压器TX的副边与三端稳压芯片TL431的阴极和阳极并联。

进一步地,所述误差放大单元包括电阻R4和运算放大器,所述运算放大器的输出端通过电阻R4连接输出电压的采样点,运算放大器的反向输入端连接所述采样分压单元,运算放大器的同向输入端连接基准电压Vref;所述运算放大器的输出端连接磁反馈变压器TX的第3端;磁反馈变压器TX的第4端接地。

进一步地,采样分压单元包括串联的电阻R2和R3,电阻R2的一端连接输出电压的采样点;电阻R3的一端接地;三端稳压芯片TL431的参考极连接电阻R2和R3的中间。

进一步地,环路补偿单元包括电容C2、电容C3以及电阻R5,所述电阻R5与电容C3串联,所述电阻R5的另一端连接三端稳压芯片TL431的阴极,所述电容C3的另一端连接三端稳压芯片TL431的参考极;所述电容C2分别连接三端稳压芯片TL431的阴极和参考极。

进一步地,环路补偿单元包括电容C2、电容C3以及电阻R5,所述电阻R5与电容C3串联,所述电阻R5的另一端连接运算放大器的输出端,所述电容C3的另一端连接运算放大器的反向输入端;所述电容C2分别连接运算放大器的输出端和反向输入端。

 进一步地,磁反馈变压器TX的第1端和第3端为同名端。

 进一步地,所述控制芯片的型号为UC1823或UC1825。

有益效果:只利用控制芯片的时钟脚驱动磁反馈变压器,器件数量较少,电路简单,动态特性好。

附图说明

图1是本发明一种实施例的电路结构图;

图2是本发明另一种实施例的电路图;

图3是本发明另一种实施例的电路图。

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