[发明专利]电路及设计方法有效
申请号: | 201410002967.3 | 申请日: | 2014-01-03 |
公开(公告)号: | CN103916082B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | H·A·爱因斯潘;R·克尔卡尔;A·R·马兰迪;R·M·马兰迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H03B5/18 | 分类号: | H03B5/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电感 电容 压控振荡器 设计 结构 | ||
1.一种电路,包括:
第一节点;
第二节点;
耦合到第一节点和第二节点的电感器;
耦合到第一节点和第二节点的第一电容性网络,其中所述第一电容性网络被设计成允许所述电路获得近似目标振荡频率;
耦合到第一节点和第二节点的补偿电容性网络,其中所述补偿电容性网络被设计成补偿由于所述电路的电源电压依赖所造成的所述电路的振荡频率的变化;
耦合到第一节点和第二节点的第二电容性网络,其中所述第二电容性网络允许所述电路获得期望振荡频率;
耦合到第二电容性网络的滤波器,其中所述滤波器向第二电容性网络供应电压;
耦合到第一节点和第二节点的跨导体,其中所述跨导体被设计成补偿所述电路中振荡频率的变化;及
耦合到补偿电容性网络的子电路,其中所述子电路生成并向补偿电容性网络供应足以允许补偿电容性网络补偿所述电路的振荡频率的减小的电压,其中子电路包括至少一个经由一节点栅极耦合到另一节点的场效应晶体管,并且其中子电路包括:
耦合到电源电压的第一电阻器;
经第一节点耦合到第一电阻器的第二电阻器;
经第二节点栅极耦合到第一节点的第一场效应晶体管,其中所述第一场效应晶体管源极耦合到电源电压,并且其中所述第一场效应晶体管经第三节点漏极耦合到第三电阻器;
经第四节点栅极耦合到第三节点的第二场效应晶体管,其中所述第二场效应晶体管源极耦合到电源电压,并且其中所述第二场效应晶体管经第五节点漏极耦合到第四电阻器;
经第六节点栅极耦合到第五节点的第三场效应晶体管,其中所述第三场效应晶体管源极耦合到电源电压,并且其中所述第三场效应晶体管经第七节点漏极耦合到第五电阻器;
其中第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器和第五电阻器接地耦合;并且
其中子电路经第八节点耦合到补偿电容性网络。
2.如权利要求1所述的电路,其中第一电容性网络包括第一电容性支路。
3.如权利要求2所述的电路,其中第一电容性支路包括变容二极管、晶体管、场效应晶体管或者电容器。
4.如权利要求1所述的电路,其中第一电容性网络是由输入数据位控制的,其中所述输入数据位的值确定由第一电容性网络产生的电容。
5.如权利要求1所述的电路,其中第二电容性网络包括第二电容性支路。
6.如权利要求5所述的电路,其中第二电容性支路包括变容二极管、晶体管、场效应晶体管或者电容器。
7.如权利要求1所述的电路,其中补偿电容性网络包括第三电容性支路。
8.如权利要求7所述的电路,其中第三电容性支路包括源极、漏极和主体短路的FET。
9.如权利要求7所述的电路,其中第三电容性支路包括变容二极管、晶体管、场效应晶体管或者电容器。
10.如权利要求1所述的电路,其中跨导体包括一对交叉耦合的场效应晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410002967.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有优化宽带频率覆盖均匀性的压控振荡器
- 下一篇:装置及其内容回放方法