[发明专利]一种LED芯片制造的方法

权利要求书

1.一种LED芯片制造的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）在衬底上形成外延层，在外延层上制作第一掩膜层，在第一掩膜层的保护下进行图形刻蚀，在外延层上形成LED芯片PN结构，刻蚀完成后将第一掩膜层去除干净，刻蚀深度由外延层决定，芯片间距为10μm-40μm；

2）在刻蚀后清洗干净的外延结构上制作第二掩膜层，并在第二掩膜层上涂保护液；采用激光划片技术，从外延层一侧划片，形成“V”字形划片槽，所述划片槽在刻蚀图形内，且划片槽宽度小于两LED芯片间距；划片槽宽度为5μm-20μm，深度为10μm-100μm；

3）使用去光阻液等化学药液将保护液去除；使用Plasma O₂清洗机将外延结构进行清洗，Plasma清洗时间为5min-30min；进行酸溶液超声，超声时间为30min-90min；浸泡高温硫酸与双氧水混合液；浸泡时间为30min-90min；浸泡硫酸、磷酸混合液，混合液浸泡时间为30min-90min；

4）去除第二掩膜层，在外延层沉积并制作CB-SiO₂层，蒸镀ITO并制作透明导电层，在所述的外延P层透明导电层上形成P电极，在所述外延N层上形成N电极。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片制造的方法，其特征在于：所述外延层包括N层、量子阱、P层，并经刻蚀所形成的LED芯片结构。

3.根据权利要求1所述的一种LED芯片制造的方法，其特征在于：所述第一掩膜层为光刻胶、二氧化硅，所述第二掩膜层为二氧化硅、氮化硅。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片制造的方法，其特征在于：所述激光划片前，在第二掩膜上均匀涂保护液，起作用为吸收多余激光能量。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片制造的方法，其特征在于：使用Plasma清洗、使用酸溶液超声、浸泡低温硫酸、磷酸混合液等工艺将正划槽内碎屑及黑色物质去除。