[发明专利]一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜铟铝硒薄膜为CuIn_1-xAl_xSe₂，其中，0≤x≤1，包括如下步骤：

(1)清洗玻璃衬底：依次使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗，清洗后置于去离子水中保存；

(2)使用磁控溅射方法依次在玻璃衬底上沉积铜铟合金层、铝层、铜层，得到层状的金属薄膜前驱体；

(3)将所述层状的金属薄膜前驱体和硒粉置于石墨盒中，进行后硒化处理，得到所述能带可调的铜铟铝硒薄膜。

2.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜铟铝硒薄膜中的各组分的摩尔比为Cu∶In∶Al∶Se≈1∶0.8∶0.2∶2。

3.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在玻璃衬底上沉积依次沉积时，将金属铝层置于中间层，将金属铜层置于最顶层。

4.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，通过调节溅射沉积铜层的时间，从而实现微调所述铜铟铝硒薄膜的组分比。

5.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述后硒化处理的最高温度为530℃。

6.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，在后硒化升温至530℃的过程中，在250℃时保温10min，在530℃时保温15～20min。

7.如权利要求1所述的能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述后硒化处理的整个升温时间为200s。

8.一种按权利要求1-7之任一项所述的制备方法得到的能带可调的铜铟铝硒薄膜。