[发明专利]一种互补型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410003695.9 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103730572A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈心满 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 周端仪 |
| 地址： | 510631 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互补 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种互补型阻变存储器，其特征在于，包括：
底层导电电极；
设于底层导电电极上表面的非晶ZnO薄膜介质层；
设于非晶ZnO薄膜介质层上表面的非晶MgZnO薄膜介质层；
设于非晶MgZnO薄膜介质层上表面的TiN电极。
2.根据权利要求1所述的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极由Pt、Au、Pd、Al、Ag、Cu、或ITO制成。
3.根据权利要求2所述的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极和TiN电极的厚度分别为50～500nm。
4.根据权利要求3所述的互补型阻变存储器，其特征在于：所述非晶ZnO薄膜介质层厚度为5～200nm。
5.根据权利要求1所述的互补型阻变存储器，其特征在于：所述非晶MgZnO薄膜介质层的厚度为4～50nm，其中Mg与Zn的原子数量比范围在0～1内。
6.一种制备权利要求1-5任一权利要求所述的互补型阻存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基底上制备所述底层导电电极；
在底层导电电极上表面制备非晶ZnO薄膜介质层；
在非晶ZnO薄膜介质层上表面制备非晶MgZnO薄膜介质层；
在非晶MgZnO薄膜介质层上表面镀上TiN电极。
7.根据权利要求6所述的互补型阻存储器的方法，其特征在于：采用磁控溅射在底层导电电极Pt、Au、Pd、Al、Ag、Cu、或ITO上制备非晶ZnO薄膜介质层，溅射靶材为ZnO陶瓷，衬底温度为室温，反应气体为氩气与氧气的混合气体，气压为10-4Pa，溅射功率为100W。
8.根据权利要求6所述的互补型阻存储器的方法，其特征在于：采用磁控溅射在非晶ZnO薄膜介质层上表面制备非晶MgZnO薄膜介质层，溅射靶材为Mg0.1Zn0.9O陶瓷，衬底温度为室温，反应气体为氩气与氧气的混合气体，气压为10-4Pa，溅射功率为100W。
9.根据权利要求6所述的互补型阻存储器的方法，其特征在于：采用磁控溅射在非晶MgZnO薄膜介质层上表面制备厚度为100nm，电极大小为直径100μm的TiN电极，溅射靶材为TiN靶，衬底温度为室温，反应气体为氩气，气压为0.1Pa，溅射功率为100W。
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