[发明专利]一种高反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高反射膜，其特征在于，所述的高反射膜包括依次设置在基板上的基底层、高反层和保护层；

所述的基底层与所述基板紧贴；

所述的高反层包括银铜合金层；

所述的保护层包括依次设置的Al₂O₃层、SiO₂层和Ti₃O₅层，其中，所述Al₂O₃层紧贴所述高反层。

2.根据权利要求1所述的高反射膜，其特征在于，所述的基板为玻璃基板，所述的基底层包括依次设置的Ti₃O₅层、SiO₂层和Al₂O₃层，其中，所述的Ti₃O₅层与所述基板紧贴，所述的Al₂O₃层与所述高反层紧贴。

3.根据权利要求2所述的高反射膜，其特征在于，所述的基板为玻璃基板，所述的基底层中Ti₃O₅层的厚度为23～25nm，所述的基底层中SiO₂层的厚度为37～41nm，所述的基底层中Al₂O₃层的厚度为20～23.5nm，所述的高反层中的银铜合金层的厚度为240～260nm，所述的保护层中Al₂O₃层的厚度为20～23nm，所述的保护层中SiO₂层的厚度为49.5～51.5nm，所述的保护层中Ti₃O₅层的厚度为16～18nm。

4.根据权利要求1所述的高反射膜，其特征在于，所述的基板为金属基板，所述的基底层包括Al₂O₃层。

5.根据权利要求4所述的高反射膜，其特征在于，所述的基板为金属基板，所述的基底层中Al₂O₃层的厚度为21.21nm，所述的高反层中的银铜合金层的厚度为250nm，所述的保护层中Al₂O₃层的厚度为21.21nm，所述的保护层中SiO₂层的厚度为50.6nm，所述的保护层中Ti₃O₅层的厚度为17.1nm。

6.根据权利要求1所述的高反射膜，其特征在于，所述的银铜合金层由重量百分含量20%～40%的铜和重量百分含量60%～80%的银混合而成。

7.根据权利要求1～6任一项所述的高反射膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将基板放入镀膜机的真空室中，先在基板上镀一层基底层，再在基板上镀一层高反层，然后在基板上镀一层保护层，得到高反射膜。

8.根据权利要求7所述的高反射膜的制备方法，其特征在于，在镀高反层时，将蒸发速率提高至8～15nm/秒。

9.根据权利要求7所述的高反射膜的制备方法，其特征在于，在镀基底层与保护层时，加离子源辅助。

10.根据权利要求9所述的高反射膜的制备方法，其特征在于，所述的离子源的参数为：

镀Al₂O₃层时，离子束电压为800～1000V，离子束电流为800～1000mA，离子加速电压为300～500V；

镀SiO₂层时，离子束电压为800～1000V，离子束电流为800～1000mA，离子加速电压为300～500V；

镀Ti₃O₅层时，离子束电压为1100～1300V，离子束电流为800～1000mA，离子加速电压为500～800V。