[发明专利]一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法

权利要求书

1.一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其基本测量/记录过程包括：

步骤（1）、被测高功率紫外激光光束直接照射到掺杂半导体材料表面，以记录紫外激光光束二维光强分布；

步骤（2）、利用光载流子辐射技术对照射区域进行成像，通过标定获得紫外激光光束的二维光强分布；

所述的对照射区域进行成像的光载流子辐射技术可采用光电探测器进行扫描式成像或通过InGaAs红外相机直接成像，得到光载流子辐射信号二维强度分布S(x,y)；

所述的标定过程即根据光载流子辐射信号强度分布S(x,y)及入射紫外光能量分布E(x,y)与光载流子辐射信号强度分布S(x,y)的关系E(x,y)=f(S(x,y))，计算得到紫外激光光束二维光强分布E(x,y)；

所述的入射紫外激光能量与光载流子辐射信号强度的关系E(x,y)=f(S(x,y))可通过改变入射到掺杂半导体材料表面的紫外激光总能量E，得到不同入射激光总能量时光载流子辐射信号总强度S，绘制S-E曲线拟合得到。

2.根据权利要求1所述的基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：通过选择合适的掺杂半导体材料和合适的光载流子辐射测量过程中的激励光波长和调制频率等参数，提高紫外激光光束特性测量精度。

3.根据权利要求1所述的基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：所述的掺杂半导体材料的掺杂非均匀性引起的测量误差可通过数据处理方法消除。

4.根据权利要求1所述的基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：当紫外激光波长低于200nm时，整个记录过程在密封的高纯氮气环境下进行，以避免空气吸收和散射等因素对高功率紫外激光光束特性记录和测量的影响。