[发明专利]中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法无效
申请号: | 201410004929.1 | 申请日: | 2014-01-06 |
公开(公告)号: | CN103774205A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 宋洪洲;杨小飞;蔡小宇;熊传勇 | 申请(专利权)人: | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C25F3/04 | 分类号: | C25F3/04;C23F1/20;C23F17/00 |
代理公司: | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人: | 黄永校 |
地址: | 542899 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 阳极 铝箔 二次 化学 侵蚀 扩孔 方法 | ||
1.一种中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,包括如下步骤:先进行光箔预处理,然后进行阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔,再进行二次纯化学侵蚀扩孔,其特征在于,所述阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔是在盐酸、硫酸和添加剂A的混合溶液中进行,施加在铝箔上的电流为直流电流,混合溶液含有重量百分为25~35%的硫酸,1.25~4.25%的盐酸,以及0.50~1.25‰的添加剂A,混合溶液的温度为65~78℃;所述二次纯化学侵蚀扩孔是在含有添加剂B的盐酸溶液中进行,盐酸的质量百分比为2.5~7.5%,混合溶液中添加剂质量百分比为0.05~2.5,溶液温度为70~90℃,侵蚀时间13~25分钟,
所述添加剂A为硫脲、草酸或吡啶添加剂中的一种或二种,
所述添加剂B为磷酸、硫脲、十二磺基磺酸钠或吡啶添加剂中的一种或二种。
2.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,其特征在于,所述在阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔中,施加在铝箔上的电量控制在30~50C/cm2。
3.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,其特征在于,所述阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔的混合溶液中需加入一定量的铝离子,铝离子以纯铝溶入或铝盐的方式加入,纯铝含量在99.99%以上,铝盐为纯氯化铝、氢氧化铝或硫酸铝。
4.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,其特征在于,所述二次纯化学侵蚀扩孔溶液中的盐酸是以高纯度的盐酸为主,避免带入其它金属离子,在混合溶液中需加入一定量的铝离子,铝离子以纯铝或铝盐的方式加入,纯铝含量在99.99%以上,铝盐为纯氯化铝、氢氧化铝或硫酸铝。
5.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,其特征在于,所述对铝箔进行阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔和二次纯化学侵蚀扩孔,控制铝箔经两次侵蚀后其失重应控制在不大于铝箔重量的40%,阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔失重占铝箔重量的12.5%~22%,二次纯化学侵蚀扩孔失重占铝箔重量的15%~25%,且阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔失重与二次纯化学侵蚀失重之比控制在1.5/1~1/2之间。
6.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法,其特征在于,所述二次纯化学侵蚀扩孔,其侵蚀过程中的铝箔浸在溶液液面以下。
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