[发明专利]一种深亚微米U型栅槽的制作方法

权利要求书

1.一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：

在半导体外延材料表面生长栅介质；

在栅介质上匀胶；

对电子束光刻胶进行曝光及显影；

对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；

采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及

去胶形成U型栅槽。

2.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述在半导体外延材料表面生长栅介质的步骤中，所述半导体外延材料是GaN衬底，所述栅介质是Si₃N₄，采用PECVD生长。

3.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述在栅介质上匀胶的步骤中，是在栅介质上涂敷ZEP520电子束光刻胶，厚度为并采用180℃热板真空加热3分钟。

4.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述对电子束光刻胶进行曝光及显影的步骤中，采用电子束曝光，剂量为300μC／cm²，电流为200pA，能量为100kV；显影液ZED-N50显影90秒，定影液ZMD-D定影15秒，并用氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述对电子束光刻胶进行回流烘胶的步骤中，是对ZEP520电子束光刻胶进行150℃热板真空回流烘胶10分钟。

6.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀的步骤之前，还包括：使用氧等离子体对表面进行处理，去除表面残胶。

7.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀的步骤中，刻蚀气体采用SF₆和CHF₃的混合气体，比例为SF₆∶CHF₃＝3∶40，刻蚀压力为3.5Pa，射频功率(RF)为20W，直流功率(LF)为250W，刻蚀时间为180秒。

8.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述去胶形成U型栅槽的步骤中，是采用去胶液ZDMAC去胶30分钟，IPA冲洗，去离子水冲洗，氮气吹干，形成U型栅槽。

9.根据权利要求1所述的深亚微米U型栅槽的制作方法，其特征在于，所述去胶形成U型栅槽的步骤中，栅槽尺寸为100nm～200nm。