[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410005396.9 申请日: 2014-01-06
公开(公告)号: CN103926770B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 朴廷敏;金智贤;李政洙;朴成均 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。代替在薄膜晶体管阵列面板的非成像的外围区域(PA)和成像的显示区域(DA)二者中以相同的方式形成接触孔,DA中的接触孔形成为实质上小于PA中的接触孔,由此改善相应的显示装置的开口率。在示例性实施方式中,无机栅极绝缘层在DA中没有被蚀刻而是在位于DA中的无机绝缘层当中只有无机第一钝化层被蚀刻以允许漏电极与相应的场产生电极之间的连接。另一方面,在外围区域中,位于栅极线和数据线上的多个无机绝缘层诸如栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层被同时蚀刻以形成分别暴露栅极焊盘和数据焊盘的第二接触孔和第三接触孔。

技术领域

本发明公开涉及薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

现在,液晶显示器作为一种薄板显示器(例如,平板或弯曲板)被广泛使用。典型的液晶显示器(LCD)具有两个间隔开的面板,在所述面板上设置电场产生电极,诸如在一个面板上的像素电极和设置在另一面板上的公共电极。液晶材料层插置在面板之间。液晶显示器被驱动以将电压施加在场产生电极上,从而产生延伸到液晶层中或延伸穿过液晶层的相应电场。于是,这些决定了液晶层的液晶分子的配向,因而决定了施加到透过的光的偏振效应,由此形成图像以显示给察觉电场调制的光的使用者。

在不同种类的液晶显示器当中,存在一类液晶显示器,其中产生液晶层的电场的相对场产生电极形成在同一薄膜晶体管阵列面板上。

当两个场产生电极形成在薄膜晶体管阵列面板上时,相对大量的绝缘层典型地设置在薄膜晶体管和场产生电极之间。当接触孔被形成用于电连接薄膜晶体管与相应的场产生电极时,接触孔典型地延伸穿过相对大量的绝缘层,因此,由于蚀刻穿过如此多绝缘层并且尤其由于蚀刻穿过多个相对硬的绝缘层的工艺而使接触孔的宽度变大。

当接触孔的宽度以这种方式变大时,它们占去了分配给每个像素单元的有限表面面积,而使用薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器的开口率会因此劣化。

同时,在栅极线和漏电极二者均存在的区域中形成漏极接触孔时,在蚀刻穿过栅极绝缘层并且一起穿过钝化层的情形下,当所形成的漏极接触孔与相应的薄膜晶体管(TFT)的栅极线部分地交叠时,可能产生漏电极和栅极线的短路,由此导致短路缺陷。

应理解,此技术背景部分旨在提供对于理解此处公开的技术的有用背景,因而,技术背景部分可以包括在此处公开的内容的相应发明日期之前不是所属领域的技术人员已知或已了解的部分的思想、概念或认识。

发明内容

本发明公开提供一种在显示装置中使用的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,其提供用于使显示区域(DA)中的接触孔的宽度与外围区域(PA)中形成的相对接触孔的宽度相比减小。更具体地,代替在薄膜晶体管阵列面板的非成像的外围区域(PA)和成像的显示区域(DA)二者中以相同的方式形成接触孔,DA中的接触孔通过蚀刻穿过更少量的绝缘层而形成,使得DA的接触孔实质上小于PA中的接触孔,其中PA中的接触孔通过蚀刻穿过更大量的绝缘层而形成。DA中的尺寸减小的接触孔改善了相应的显示装置的开口率。

根据示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括:基板,包括显示区域和邻近显示区域的外围区域;位于基板的显示区域中的栅极线和位于基板的外围区域中的栅极焊盘;栅极绝缘层,位于栅极线和栅极焊盘上;位于基板的显示区域中的数据线和漏电极以及位于基板的外围区域中在栅极绝缘层上的数据焊盘;第一钝化层,具有暴露漏电极的第一接触孔;第一场产生电极,通过第一钝化层的第一接触孔连接到漏电极;第二钝化层,位于第一场产生电极上;以及第二场产生电极,位于第二钝化层上,其中位于第一接触孔中的第一场产生电极被第二钝化层覆盖,位于外围区域中的栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层具有暴露栅极焊盘的第二接触孔,位于外围区域中的第一钝化层和第二钝化层具有暴露数据焊盘的第三接触孔。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括位于第一钝化层和第二钝化层之间的有机层。

有机层可以包括一个或多个滤色器。

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