[发明专利]空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在制备衬底上生长该声波谐振器中的薄膜结构层，待用；

将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上，并以该薄膜结构层的一面固定于支撑衬底上，在支撑衬底和该薄膜结构层之间形成空腔；

将制备衬底与其上生长的薄膜结构层剥离；该薄膜结构层包括有支撑层、底电极和压电膜，或包括有支撑层、底电极、压电膜和顶电极；

所述薄膜结构层包括支撑层、底电极和压电膜，其制备包括：

依次在制备衬底上沉积单晶的压电膜，在压电膜表面溅射底电极，在底电极上沉积支撑层，待用；

以支撑层的一面将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上；

将制备衬底和压电膜剥离，露出压电膜；

在压电膜上溅射顶电极，并通过光刻、刻蚀的方式获得顶电极图形和压电膜图形；

或者，

所述薄膜结构层包括支撑层、底电极、压电膜和顶电极；

依次在制备衬底上溅射顶电极，在顶电极上沉积压电膜，在压电膜表面溅射底电极，随后在底电极上沉积支撑层，待用；

以支撑层的一面将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上；

将制备衬底和顶电极剥离，露出顶电极；

通过光刻、刻蚀的方式获得顶电极图形和压电膜图形；

形成依次层叠为支撑衬底、支撑层、底电极、压电膜和顶电极的结构。

2.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述空腔的形成方法为，首先在支撑衬底上刻蚀出凹槽，再将薄膜结构层覆盖于该凹槽上形成空腔。

3.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述空腔的形成方法为，通过焊接的方式将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上，焊接时，焊接材料涂覆于薄膜结构层和/或支持衬底的四周边缘，形成凸起，使焊接后薄膜结构层与支撑衬底之间形成空腔。

4.一种空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于，采用权利要求1-3任一项的制备方法制备，包括依次层叠的支撑衬底、支撑层、底电极、压电膜和顶电极，所述支撑衬底和支撑层之间具有空腔。

5.根据权利要求4所述的空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电膜为单晶氮化铝压电膜。

6.根据权利要求4所述的空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述制备衬底和支撑衬底的材料选自：硅、蓝宝石、LiGaO₂或金属。

7.根据权利要求4所述的空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极和顶电极的材料选自：Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag、Au、ZrN中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的材料选自：类金刚石膜、氮化硅、非晶态氮化铝、二氧化硅中的至少一种。