[发明专利]静态随机存取存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201410005710.3 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103730469A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
1.一种静态随机存取存储单元，包括上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管，其特征在于，还包括：
张应力膜，覆盖所述上拉晶体管和下拉晶体管；
层间介质隔离层，覆盖所述张应力膜和传输晶体管。
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述上拉晶体管包括栅极区、源极区和漏极区，所述张应力膜覆盖所述上拉晶体管的栅极区以及至少部分源极区和漏极区；所述下拉晶体管包括栅极区、源极区和漏极区，所述张应力膜覆盖所述下拉晶体管的栅极区以及至少部分源极区和漏极区。
3.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述张应力膜的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或几种。
4.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述张应力膜的厚度与所述下拉晶体管的栅极区的厚度之比为1/3至1/2。
5.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述张应力膜的厚度与所述上拉晶体管的栅极区的厚度之比为1/3至1/2。
6.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述张应力膜的厚度为40nm至250nm。
7.如权利要求1所述的静态随机存取存储单元，其特征在于，所述上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管的数量均为两个。
8.一种静态随机存取存储单元的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管；
在所述上拉晶体管和下拉晶体管上形成张应力膜；
在所述张应力膜和传输晶体管上形成层间介质隔离层。
9.如权利要求8所述的静态随机存取存储单元的形成方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管包括：
在所述半导体衬底内形成所述上拉晶体管的源极区和漏极区、下拉晶体管的源极区和漏极区以及传输晶体管的源极区和漏极区，在所述半导体衬底表面形成上拉晶体管的栅极区、下拉晶体管的栅极区以及传输晶体管的栅极区；
所述在所述上拉晶体管和下拉晶体管上形成张应力膜包括：
在所述上拉晶体管的栅极区以及至少部分源极区和漏极区形成张应力膜，在所述下拉晶体管的栅极区以及至少部分源极区和漏极区形成张应力膜。10.如权利要求8所述的静态随机存取存储单元的形成方法，其特征在于，所述在所述上拉晶体管和下拉晶体管上形成张应力膜采用气相沉积工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
