[发明专利]一种电平移位电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体电路，特别涉及一种电平移位电路。

背景技术

在信息时代，信息存储是信息技术中最重要的技术内容之一。DRAM、EEPROM、快闪存储器等存储器得到越来越广泛的应用。

为了实现信息的读取和编程等操作，存储器需要在不同的电平之间转换以获得所需的操作电压：比如，在90nm高速Flash存储器中，在不同的操作模式里，列译码器(也称即Y译码器)需要对目标存储单元提供不同的位线电压，比如，在读取操作中，列译码器需要对被选中的位线加载3V的读取电压，而在编程操作中，列译码器需要对被选中的位线加载5V以上的编程电压以选中位线，此时，位线电压一般为8V。列译码器是通过电平移位电路获取所需的操作电压的。

如图1所示的一种电平移位电路，包括：反相器INV、PMOS管P1及P2、NMOS管N1及N2；其中，

输入信号Data输入NMOS管N1的栅极和反相器INV的输入端，反相器INV的输出和NMOS管N2的栅极连接；

NMOS管N1的源极接地GND，漏极连接PMOS管P1的漏极和PMOS管P2的栅极，PMOS管P1的源极接电源电压VDD；

NMOS管N2的源极接地GND，漏极连接PMOS管P2的漏极和PMOS管P1的栅极，PMOS管P2的源极连接电源电压VDD。

继续参考图1，输入信号Data为高电平状态时，节点V11为低电平，节点V12为高电平，NMOS管N1导通，NMOS管N2截止，PMOS管P2导通，PMOS管P1截止，当输入信号Data从高电平转为低电平时，NMOS管N1截止，NMOS管N2导通，此时，由于，节点V11仍保持为低电平、节点V12仍保持高电平，NMOS管N2和PMOS管P2处于正在导通的状态并流过贯穿电流，使节点V12下降至低电平；当节点12为低电平时，PMOS管P1导通，并产生贯穿电流，使节点V11上升至高电平。在上述过程中，为了使节点V12下降至低电平，需要加大NMOS管N2的晶体管尺寸；为了使节点V11上升至高电平，需要加大PMOS管P1的晶体管尺寸。

对于输入信号Data从低电平转为高电平时，情况也是类似的，为了使节点V11下降至低电平，需要加大NMOS管N1的晶体管尺寸；为了使节点V12上升至高电平，需要加大PMOS管P2的晶体管尺寸。

然而，对应于存储器所需的不同操作电压，电平移位电路的高电平是不同的。对于电平移位后输出的高电平电压，在存储器的某些操作模式下，比如，编程操作时，若转换速率过快，可能会对存储器的其他器件，比如列译码器或其他存储单元，造成高电压的瞬间冲击，会存储器器件造成损害。现有技术的电平移位电路的电平转换速率受晶体管特性决定，对于如图1所示的电平移位电路来说，依据晶体管尺寸所获得的贯穿电流，能够使电平移位电路在电平之间快速转换，但却无法进一步控制电平移位电路的电平转换速率。

发明内容

本发明技术方案所解决的技术问题为：如何控制电平移位电路的电平转换速率。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供了一种电平移位电路，包括；

电流提供单元，适于提供控制电流；

电平移位单元，包括适于输入第一电平信号的信号输入节点和适于输出第二电平信号的信号输出节点；所述电平移位单元与所述电流提供单元连接，适于输入所述控制电流，以控制所述输出节点的电平转换速率。

可选的，所述电平移位单元还包括适于连接第一电源的第一电源节点和适于连接第二电源的第二电源节点；所述第二电平信号的电平值在第一电源的电平值和第二电源的电平值之间转换。

可选的，所述第一电源适于提供第一电平和第二电平；

所述电流提供单元适于在所述第一电源提供所述第一电平时提供所述控制电流，在所述第一电源提供第二电平时停止提供所述控制电流。

可选的，所述电流提供单元为第一电流提供单元或第二电流提供单元，或者，所述电流提供单元包括第一电流提供单元和第二电流提供单元；

所述第一电流提供单元适于向所述第一电源节点提供第一控制电流，所述第二电流提供单元适于向所述第二电源节点提供第二控制电流。

可选的，所述第一电流提供单元包括由输入PMOS管和镜像PMOS管构成的PMOS电流镜，所述镜像PMOS管的源极连接所述第一电源，所述镜像PMOS管的漏极连接所述第一电源节点；

所述第二电流提供单元包括由输入NMOS管和镜像NMOS管构成的NMOS电流镜，所述镜像NMOS管的源极连接所述第二电源，所述镜像NMOS管的漏极连接所述第二电源节点。