[发明专利]制造具有高量子效率的光伏器件的方法

权利要求书

1.一种制造光伏器件的方法，包括：

在衬底上方形成包括吸收材料的吸收层；

在所述吸收层上方形成缓冲层；

在所述缓冲层上方形成正面透明层；以及

在所述吸收层上方形成所述缓冲层的步骤之后，在温度介于100℃至500℃的条件下，将所述光伏器件暴露于热中持续多个周期，总持续时间介于10分钟至30分钟的范围内，以将Cd²⁺从所述缓冲层扩散至所述吸收层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成所述吸收层的步骤之前，在所述衬底上方形成背面接触层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述缓冲层上方形成所述正面透明层的步骤之后，将所述光伏器件暴露于所述热中。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述正面透明层上方形成抗反射层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

在所述正面透明层上方形成所述抗反射层的步骤之后，将所述光伏器件暴露于所述热中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述吸收层中的所述吸收材料选自由铜铟镓硒化合物(CIGS)和碲化镉(CdTe)组成的组；以及

所述缓冲层包括选自由CdS和CdSe组成的组中的缓冲材料。

7.一种制造光伏器件的方法，包括：

在衬底上方形成背面接触层；

在所述衬底上方形成包括吸收材料的吸收层；

在所述吸收层上方形成缓冲层；

在所述缓冲层上方形成正面透明层；以及

在所述缓冲层上方形成所述正面透明层的步骤之后，在温度介于100℃至500℃之间的条件下，将所述光伏器件暴露于热中持续多个周期，总持续时间介于10分钟至30分钟的范围内，以将Cd²⁺从所述缓冲层扩散至所述吸收层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述正面透明层的上方形成抗反射层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，

在所述正面透明层上方形成抗反射层的步骤之后，将所述光伏器件暴露于热中。