[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410006596.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104425464A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 尾山幸史;向田秀子;福田昌利;筑山慧至;深山真哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1半导体芯片，其具有第1主面和与上述第1主面对向并设有第2电极的第2主面；
第2半导体芯片，其具有设有与上述第2电极连接的第3电极的第3主面和与上述第3主面对向的第4主面；和
第1隔片，其在上述第2、第3电极和上述第1、第2半导体芯片的外周面之间的区域配置，确保上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片的间隙。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2、第3电极沿着上述第1、第2半导体芯片的外周面设置，
上述第1隔片在上述第2、第3电极和离上述第2、第3电极最近的上述第1、第2半导体芯片的外周面之间配置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1隔片配置在与上述第1、第2半导体芯片的外周面的距离比与上述第2、第3电极的距离短的位置。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具备：
第2隔片，其在上述第2、第3电极和上述第1、第2半导体芯片的外周面之间的区域以外的区域配置，确保上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片的间隙。
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