[发明专利]存储器的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器的检测方法。

背景技术

随着半导体技术的迅猛发展，移动存储设备快速增长。FLASH芯片作为移动存储设备中最常用的器件，得到了日趋广泛的应用。为了保证FLASH芯片长期可靠的工作，产品在出厂前需要进行高速和细致的测试。

图1为一种存储器的结构示意图，所述存储器包括：呈矩阵排布的存储单元，以及用于选择所述存储单元并提供驱动信号的多条位线（BL0、BL2、BL3、BL4、BL5……、BLN）、字线（WL0、WL1、……、WLK）以及控制栅线（CG0、CG1、CG2和CG3……和CGM-1）。所述存储单元为M行N列，即第X0行、第X1行、第X2行、第X3行……第XM-1行，以及第Y0列、第Y1列、第Y2列、第Y3列、第Y4列……第YN-1列。一个存储单元可以为一个存储位（bit）。

每一条控制栅线连接一行存储单元，每个存储单元仅连接一条控制栅线。每一条字线连接相邻两行的存储单元，每个存储单元仅连接一条字线。未连接同一条字线的相邻存储单元连接同一条位线，每个存储单元仅连接一条位线。

以存储单元m1、存储单元m2、存储单元m3、存储单元m4、存储单元m5、存储单元m6、存储单元m7和存储单元m8为例。

存储单元m1、存储单元m2位于同一行，均连接控制栅线CG3。存储单元m3和存储单元m4位于同一行，均连接控制栅线CG2。存储单元m5和存储单元m6位于同一行，均连接控制栅线CG1。存储单元m7和存储单元m8位于同一行，均连接控制栅线CG0。

存储单元m1、存储单元m2、存储单元m3和存储单元m4为相邻的两行存储单元，存储单元m1、存储单元m2、存储单元m3和存储单元m4均连接字线WL1。存储单元m5、存储单元m6、存储单元m7和存储单元m8为相邻的两行存储单元，存储单元m5、存储单元m6、存储单元m7和存储单元m8均连接字线WL0。

存储单元m3、存储单元m4、存储单元m5、存储单元m6为相邻的两行存储单元，存储单元m3和存储单元m4连接字线WL1，而存储单元m5、存储单元m6连接字线WL0，则存储单元m3、存储单元m4、存储单元m5、存储单元m6均连接位线BL3。

现有技术存在一种应用于图1所示存储器的棋盘格（checker board）测试方法。但是，采用现有的棋盘格测试方法检查合格的存储器依然无法长期可靠的工作，经常出现写入的数据与读取的数据不相同的错误。

发明内容

本发明解决的问题是现有存储器易出现写入的数据与读取的数据不相同的错误。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的检测方法，所述存储器包括：呈M行N列排布的存储单元，M＞1，N＞1，所述检测方法包括：

对所述M行N列的存储单元进行第一初始化处理；

在所述第一初始化处理之后，按照从第M行存储单元至第1行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第一写操作以写入预设数据；

在所述第一写操作之后，对所述M行N列的存储单元进行第一读取操作；

根据所述第一读取操作的读取结果与结果阈值的比较结果获得第一读取数据；

比较所述第一读取数据与所述预设数据以获得第一比较结果；

根据所述第一比较结果对所述存储器进行判定操作。

可选的，所述对所述存储器进行判定操作包括：在所述第一读取数据与所述预设数据相同时判定所述存储器合格。

可选的，所述按照从第M行存储单元至第1行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第一写操作以写入预设数据包括：按照从第1列存储单元至第N列存储单元的顺序对每一行的存储单元进行第一写操作。

可选的，所述按照从第M行存储单元至第1行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第一写操作以写入预设数据包括：按照从第N列存储单元至第1列存储单元的顺序对每一行的存储单元进行第一写操作。

可选的，所述存储器检测方法还包括：

对所述M行N列的存储单元进行第二初始化处理；

在所述第二初始化处理之后，按照从第1行存储单元至第M行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第二写操作以写入所述预设数据；

在所述第二写操作之后，对所述M行N列的存储单元进行第二读取操作；

根据所述第二读取操作的读取结果与所述结果阈值的比较结果获得第二读取数据；

比较所述第二读取数据与所述预设数据以获得第二比较结果；