[发明专利]晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法

权利要求书

1.一种晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，包括：

获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率；

根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，所述致命缺陷率系数为所述各导电层的致命缺陷率之和；

结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式；

根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，

所述致命缺陷率系数记为C，所述修正缺陷密度计算公式为：

或者，

其中，WaferYield为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的面积；F_D0是修正后缺陷密度，计算公式为F_D0＝D₀+0.0001×GDPW-0.08，其中，D₀为缺陷密度，单位是缺陷个数/每平方英寸，GDPW是所述有效芯片总数缺陷密度；N为工艺复杂度。

2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述理论缺陷密度计算模型包括玻尔-爱因斯坦方程式。

3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述玻尔-爱因斯坦方程式为：

WaferYield＝1/(1+DieArea*D₀)^N,其中，WaferYield为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的面积；D₀为缺陷密度，单位为缺陷个数/平方英寸；N为工艺复杂度。

4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述晶圆为多晶硅晶圆。

5.根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述致命缺陷包括短路或断路。

6.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的晶圆缺陷密度获得方法。

7.一种半导体装置形成方法，所述半导体装置在晶圆上形成，其特征在于，包括如权利要求6所述的晶圆测试方法。