[发明专利]用于内部电源的具有改善的负载瞬态性能的LDO调节器有效
申请号: | 201410007119.1 | 申请日: | 2014-01-02 |
公开(公告)号: | CN104765397B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 刘永锋 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 内部 电源 具有 改善 负载 瞬态 性能 ldo 调节器 | ||
1.一种电路,包括:
具有反馈调节环路和驱动晶体管的电压调节器电路,所述驱动晶体管被配置为向被调节的输出节点供应输出电流;以及
瞬态恢复电路,包括:
第一晶体管,被配置为向所述驱动晶体管的控制端子发起第一电流,其中除了响应于所述反馈调节环路的操作被施加至所述驱动晶体管的所述控制端子的调节控制电流之外,所述第一电流被供应;
第一控制电路,被配置为响应于在所述被调节的输出节点处的电压的下降,选择性地启动所述第一晶体管;
第二晶体管,被配置为从所述被调节的输出节点吸收第二电流;以及
第二控制电路,被配置为响应于在所述被调节的输出节点处的电压的增加,控制所述第二晶体管的操作以将所述第二电流的量值从第一非零量值增加到更大的第二非零量值,
其中所述第二控制电路被配置为在所述电压调节器电路操作于静态模式时偏置所述第二晶体管以施加处于所述第一非零量值的所述第二电流,所述第二控制电路进一步被配置为感测在所述被调节的输出节点处的电压的增加,并且改变所述第二电流至所述第二非零量值,并且
其中所述第二控制电路包括:
电压复制电路,被配置为在所述静态模式中将在所述被调节的输出节点处的电压复制到中间节点;
包括所述第二晶体管的电流镜电路,所述电流镜电路被耦合至所述被调节的输出节点和所述中间节点,所述电流镜被配置为接收输入电流和输出所述第二电流;以及
电容器,被耦合至所述电流镜电路的共用控制端子,并且被配置为将固定的偏置电压施加至所述第二晶体管的控制端子。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一控制电路被配置为在所述电压调节器电路操作于静态模式时将所述第一晶体管偏置为关断状态,所述第一控制电路进一步被配置为感测在所述被调节的输出节点处的电压的下降,并且通过将所述第一晶体管偏置为导通状态来响应。
3.根据权利要求2所述的电路,其中所述第一控制电路包括:
电压复制电路,被配置为在所述静态模式中将在所述被调节的输出节点处的电压复制到中间节点;
电流镜电路,被耦合至所述被调节的输出节点和所述中间节点,所述电流镜被配置为接收输入电流和输出偏置电流;以及
电阻器,被配置为接收所述偏置电流并且生成被施加至所述第一晶体管的控制端子的偏置电压。
4.根据权利要求3所述的电路,其中所述偏置电流是所述输入电流的一部分。
5.根据权利要求3所述的电路,其中所述偏置电流具有在所述静态模式中足以使得所述电阻器生成所述偏置电压的量值,所述偏置电压小于所述第一晶体管的阈值接通电压。
6.根据权利要求5所述的电路,其中所述电流镜电路被配置为对在所述被调节的输出节点处的电压的下降进行响应,并且将所述偏置电流增加至足以使得所述电阻器生成超过所述第一晶体管的所述阈值接通电压的所述偏置电压的量值。
7.根据权利要求3所述的电路,其中所述输入电流由经调节的参考电流来供应。
8.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二电流是所述输入电流的一部分。
9.根据权利要求1所述的电路,其中所述电流镜电路被配置为通过增加所述第二电流的量值来响应在所述被调节的输出节点处的电压的增加。
10.根据权利要求1所述的电路,其中所述瞬态恢复电路进一步包括:
第三晶体管,被配置为从所述驱动晶体管的所述控制端子吸收第三电流,其中所述第三电流是除了响应于所述反馈调节环路的操作而被施加至所述驱动晶体管的所述控制端子的所述调节控制电流之外的电流;
第三控制电路,被配置为响应于在所述被调节的输出节点处的电压的增加,选择性地启动所述第三晶体管。
11.根据权利要求10所述的电路,其中所述第三控制电路被配置为将所述第二电流转换成被施加至所述第三晶体管的控制端子的控制信号。
12.根据权利要求11所述的电路,其中处于所述第一非零量值的所述第二电流不足以启动所述第三晶体管,并且其中处于所述第二非零量值的所述第二电流足以启动所述第三晶体管。
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