[发明专利]晶片级自形成纳米通道及其制造方法

权利要求书

1.一种制造纳米器件的纳米通道的方法，该方法包括：

在衬底上沉积电绝缘膜；

在所述电绝缘膜上构图纳米线；

在所述纳米线和所述电绝缘膜上沉积电绝缘材料；

在所述电绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞形成在所述纳米线的第一末端上方，所述第一圆形孔洞暴露所述第一末端；

形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞形成在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方，所述第二圆形孔洞暴露所述第二末端；

通过在所述第一圆形孔洞中流入并且从所述第二圆形孔洞中流出蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，形成将所述第一圆形孔洞连接到所述第二圆形孔洞的纳米通道；

在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使所述第一储存器在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接；以及

在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使所述第二储存器在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。

2.权利要求1所述的方法，其中，所述纳米通道通过去除所述纳米线而自形成。

3.权利要求1所述的方法，还包括：用导电溶液填充所述第一储存器、所述第二储存器和所述纳米通道。

4.权利要求1所述的方法，还包括：利用所述第一圆形孔洞既作为用于流入所述蚀刻剂以形成所述纳米通道的入口也作为用于将分子从所述第一储存器驱动到所述纳米通道中的入口。

5.权利要求4所述的方法，还包括：利用所述第二圆形孔洞既作为用于流出所述蚀刻剂以形成所述纳米通道的出口也作为用于将所述分子从所述纳米通道驱动到所述第二储存器中的出口。

6.权利要求1所述的方法，其中，所述第一圆形孔洞是从所述第一储存器到所述纳米通道的第一连接；以及

其中所述第二圆形孔洞是从所述第二储存器到所述纳米通道的第二连接。

7.权利要求6所述的方法，还包括：驱使分子从所述第一储存器、穿过所述第一圆形孔洞进入所述纳米通道、穿过所述第二圆形孔洞并且出来到达所述第二储存器。

8.权利要求7所述的方法，还包括：在所述分子处于所述纳米通道中时对所述分子进行测序。

9.权利要求1所述的方法，其中，所述纳米线是碳纳米管。

10.权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻剂去除所述碳纳米管从而留下所述纳米通道。

11.权利要求10所述的方法，其中，所述纳米通道的直径是由所述碳纳米管的直径导致的并且对应于所述碳纳米管的所述直径。

12.权利要求11所述的方法，其中，所述纳米通道的长度是由所述碳纳米管的长度导致的并且对应于所述碳纳米管的所述长度。

13.权利要求12所述的方法，其中，所述第一圆形孔洞的第一深度在所述第一末端处向下至所述碳纳米管而不到达所述衬底，以及

其中所述第二圆形孔洞的第二深度在所述第二末端处向下至所述碳纳米管而不到达所述衬底。

14.一种制造纳米器件的纳米通道的方法，该方法包括：

在衬底上沉积电绝缘膜；

在所述电绝缘膜上构图多条纳米线；

在所述多条纳米线和所述电绝缘膜上沉积电绝缘材料；

在所述电绝缘材料中形成多个第一圆形孔洞作为多个入口，所述多个第一圆形孔洞分别形成在所述多条纳米线的多个第一末端上方，所述多个第一圆形孔洞分别暴露所述多个第一末端；

形成多个第二圆形孔洞作为多个出口，所述多个第二圆形孔洞分别形成在所述多个纳米线的与所述多个第一末端相对的多个第二末端上方，所述多个第二圆形孔洞分别暴露所述多个第二末端；

通过在所述多个第一圆形孔洞中流入并且从所述多个第二圆形孔洞中流出蚀刻剂蚀刻掉所述多条纳米线，形成分别将所述多个第一圆形孔洞连接到所述多个第二圆形孔洞的多条纳米通道；

在所述多个第一圆形孔洞上单独地附着多个第一储存器使所述多个第一储存器在所述多个第一末端原先的位置处分别与所述多条纳米通道连接；以及

在所述多个第二圆形孔洞上单独地附着多个第二储存器使所述多个第二储存器在所述多个第二末端原先的位置处分别与所述多条纳米通道连接。