[发明专利]一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜和该薄膜的制备方法有效
申请号: | 201410007865.0 | 申请日: | 2014-01-08 |
公开(公告)号: | CN103788550A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 胡宁;吴良科;宁慧铭 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08K3/04;C08J5/18;B29C69/00;B29C41/12;B29C55/02;B29L7/00 |
代理公司: | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人: | 唐开平 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvdf hfp cb 压电 复合材料 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜,其特征是:包括PVDF-HFP和炭黑颗粒,PVDF-HFP基体中添加质量百分比为0.05 % ~0.8 %的炭黑颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜,其特征是:炭黑颗粒的质量百分比为0.5 %。
3.一种权利要求1或2所述的PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜的制备方法,其特征是:包括以下步骤:
(1)将炭黑颗粒与溶剂混合搅拌制成悬浊液,再加入PVDF-HFP经搅拌制得PVDF-HFP溶液,使混合物充分混合;
(2)将步骤(1)所制得的混合溶液在行星搅拌器中再搅拌10分钟以上,脱泡2分钟以上;
(3)将步骤(2)所制得的溶液倒在热铝板上,加热,将溶剂去除,得到初结晶后的薄膜;
(4)在万能试验机中将步骤(3)所制得的薄膜在55℃~65℃左右进行拉伸;
(5)对步骤(4)制得的薄膜进行分步极化。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征是:在步骤(1)中,将炭黑颗粒添加到溶剂DMF中,在超声波下搅拌15分钟以上,制得炭黑颗粒的DMF悬浊液;按照PVDF-HFP:DMF=1:3的质量比,向DMF中添加PVDF-HFP在行星搅拌器中搅拌10分钟以上,然后在超声波中搅拌15分钟以上。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征是:在步骤(5)中,分步极化的电场强度从20 MV/m ~90 MV/m,步升10 MV/m。
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