[发明专利]一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法有效
| 申请号： | 201410008441.6 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104766817B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 沟槽隔离 硬掩膜 衬底 刻蚀 隔离材料 平坦化 填充 损伤 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成硬掩膜，所述硬掩膜为二氧化硅；
刻蚀衬底以形成鳍；
采用氢氟酸腐蚀去除硬掩膜；
填充隔离材料并仅对部分隔离材料进行平坦化；
刻蚀去除部分厚度的隔离材料，以形成沟槽隔离。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离材料为二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，进行平坦化后，所述鳍上保留有一定厚度的隔离材料。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用氢氟酸腐蚀去除部分厚度的隔离材料，以形成沟槽隔离。
5.根据权利要求1或4所述的形成方法，其特征在于，采用稀释比例为100:1的HF进行腐蚀，温度为25℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
