[发明专利]一种开关信号控制的整流与限幅电路与无源射频标签有效
申请号: | 201410009344.9 | 申请日: | 2014-01-08 |
公开(公告)号: | CN103699929B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 吴边 | 申请(专利权)人: | 卓捷创芯科技(深圳)有限公司;无锡智速科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关 信号 控制 整流 限幅 电路 无源 射频 标签 | ||
1.一种开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述电路包括:
谐振电容,与谐振电感并联连接于第一天线端与第二天线端之间,用于与谐振电感组成谐振电路,接收外部电磁场并将其耦合至整流电路;
整流电路,其输入端连接至第一天线端与第二天线端,用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源,所述整流电路的第一输出端输出至外部负载电路,其第二输出端输出至电源电压探测与判定电路,用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压,其第三输出端通过至少两个并联的N型MOS管接地作为放电通路,用于在场强过强时将电荷输出至地;
至少两路电源电压探测与判定电路,其电源输入端连接至所述整流电路第二输出端,其输出端连接至所述整流电路的至少两路放电通路的控制输入端,用于根据第一天线端与第二天线端之间的电荷量大小控制所述整流电路的放电通路打开或关闭,实现控制该输出端的漏电状态。
2.根据权利要求1所述的开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述整流电路包括并联连接于第一天线端与第二天线端之间的第一整流支路,第二整流支路以及第三整流支路。
3.根据权利要求2所述的开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述第二整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第五二极管和第六二极管,或者是连接于第一天线端与第二天线端之间的第五N型MOS管和第六N型MOS管,
所述第五二极管和第六二极管阴极端连接至电源电压探测与判定电路输入端,用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压;
所述第五N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端,第六N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端,第五N型MOS管源极连接至第六N型MOS管源极并输出至电源电压探测与判定电路输入端,用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压。
4.根据权利要求2所述的开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述第三整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第七二极管和第八二极管,或者是连接于第一天线端与第二天线端之间的第七N型MOS管和第八N型MOS管,
所述第七二极管和第八二极管阴极端连接至所述至少两个并联的N型MOS管的漏极,所述至少两个并联的N型MOS管栅极分别连接至电源电压探测与判定电路的输出端,各N型MOS管的源极均接地,用于在场强过强时将电荷输出至地;
所述第七N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端,第八N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端,第七N型MOS管源极连接至第八N型MOS管源极并连接至所述至少两个并联的N型MOS管的漏极,所述至少两个并联的N型MOS管栅极分别连接至电源电压探测与判定电路的输出端,各N型MOS管的源极均接地,用于在场强过强时将电荷输出至地。
5.根据权利要求1所述的开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述电源电压探测与判定电路包括第一分压单元,第二分压单元,阈值比较单元,第一限流单元以及逻辑信号生成单元,
所述第一分压单元与第二分压单元依次串接于电源端与地线之间,阈值比较单元控制端连接于第一分压单元与第二分压单元之间,其输入端通过第一限流单元接入电流源,其输出端接地,所述逻辑信号生成单元输入端连接于阈值比较单元输入端与第一限流单元之间,用于生成逻辑控制信号,控制整流电路的放电通路打开或关闭。
6.根据权利要求5所述的开关信号控制的整流与限幅电路,其特征在于,所述第一分压单元为至少一个电阻,或至少一个P型MOS管,或至少一个N型MOS管中的任一种,
所述至少一个电阻中,任一电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构,第一个电阻连接至电源作为第一分压单元输入端,最后一个电阻连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端;
所述至少一个P型MOS管中,任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构,第一个所述P型MOS管的源极连接至电源作为第一分压单元输入端,最后一个P型MOS管的漏极连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极;
所述至少一个N型MOS管中,任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构,第一个所述N型MOS管的漏极连接至电源作为第一分压单元输入端,最后一个N型MOS管的源极连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端,各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
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