[发明专利]一种使用脉冲激光法制备AlSb薄膜太阳电池的技术

权利要求书

1.本专利的特征是利用脉冲激光沉积（PLD）技术，制备新型AlSb基薄膜太阳电池的新技术，包括：

新型AlSb基薄膜太阳电池的结构；

新型AlSb基薄膜太阳电池的PLD技术制备细节。

2.如权利要求1所述，其特征是含有AlSb基的无毒廉价化合物薄膜太阳电池结构。

3.如权利要求1所述，其特征是利用AlSb薄膜材料对太阳光吸收的优越特性，设计出的一种新型的薄膜太阳电池，以FTO glass/n-ZnS/p-AlSb/electrode为主干结构。

4.如权利要求1所述，其特征是使用PLD技术，通过同室转靶溅射方式，计算机控制挡板遮挡的时间，进而控制每层薄膜的厚度等，制备出AlSb基新型薄膜太阳电池。

5.如权利要求1所述，其特征是使用248nm KrF气体脉冲激光轰击计算机控制转靶的多种化合物材料及电极材料靶材，在衬底上依次沉积多层无组分偏析的晶态薄膜，当生成AlSb薄膜后随即覆盖上背接触层，即立即阻断了自潮解发生，最后沉积上背电极，制备完成AlSb基薄膜太阳电池。