[发明专利]薄膜晶体管电气特性测量方法

说明书

公开了一种薄膜晶体管电气特性测量方法，包括：用激光对显示器面板中邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线和邻近待测像素中薄膜晶体管栅极的栅线进行切割；用第一测试元件组探针和第二测试元件组探针分别扎入所述数据线和所述栅线的切开截面，并用第三测试元件组探针扎入所述待测像素中薄膜晶体管的漏极；通过向所述第一测试元件组探针、所述第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性。采用本申请提供的测量方法，能够准确呈现面板中像素内TFT的电气特性，而且，能够准确定位薄膜晶体管本身的异常。

技术领域

本申请涉及薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）显示器的测试技术，尤其涉及一种TFT电气特性测量方法。

背景技术

目前，主要是通过设计测试元件组（Test Element Group，TEG，也称作test key）来测试用于模拟显示器面板内的TFT的TFT、通过测试模拟TFT的电气特性来获知面板中像素区域内的TFT的电气特性。

然而，这种测量方法存在如下问题。

在测量模拟TFT的电气特性时，从模拟TFT的栅极、源极和漏极引线出来做成三个焊垫（pad），然后将探针扎入这三个焊垫进行测量（参见图1），得到模拟TFT的电气特性。对于面板像素区域内的TFT，后续需要覆盖层间介电层（Inter-Layer Dielectric,ILD）、平坦化层（PLN）、钝化层（PV）等，无法对像素区域内的TFT引出焊垫进行测量，因而，模拟TFT的电气特性不能准确反映像素区域内的TFT的电气特性。

而且，由于该TFT是像素区域内TFT的模拟物，二者毕竟不是完全相同的TFT，因而，即使电气特性测试表明该模拟TFT存在故障，也不一定说明像素区域内的TFT确实存在故障。例如，可能由于模拟TFT的工艺误差导致模拟TFT存在故障，但是像素区域内的TFT是正常的，这时，模拟TFT的电气特性无法准确反映像素区域内的TFT的电气特性。

发明内容

为了解决上述问题，本申请提供一种TFT电气特性测量方法，能够准确呈现面板中像素内TFT的电气特性，而且，能够准确定位TFT本身的异常。

本申请提供了一种TFT电气特性测量方法，包括：

用激光对显示器面板中邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线和邻近待测像素中的薄膜晶体管栅极的栅线进行切割；

用第一测试元件组探针和第二测试元件组探针分别扎入所述数据线和所述栅线的切开截面，并用第三测试元件组探针扎入所述待测像素中薄膜晶体管的漏极；

通过向所述第一测试元件组探针、所述第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性。

其中，可以用激光对显示器面板中邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线和邻近待测像素中的薄膜晶体管栅极的栅线进行切割，直到暴露出形成所述薄膜晶体管的栅线和数据线的金属材料层。

其中，通过向所述第一测试元件组探针、第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性，可以包括：

通过所述第二测试元件组探针向所述薄膜晶体管的栅极施加所需的栅极电压；

测量所述第一测试元件组探针和所述第三测试元件组探针的电信号来确定所述薄膜晶体管的源极和漏极是否连通，从而确定所述薄膜晶体管是否导通。

其中，通过向所述第一测试元件组探针、第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性，还可以包括：