[发明专利]场效应管的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410010201.X 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN104779158A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 赵圣哲 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100871 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 场效应 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种场效应管的制造方法,其特征在于,包括:

在形成有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶,形成第一胶层;

在所述第一胶层上形成截止环;

对所述第一胶层进行第一次干法去除;

间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除;

在所述初始氧化层上形成终端环。

2.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述设定时间为大于20分钟。

3.根据权利要求2所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述设定时间为30分钟。

4.根据权利要求3所述的场效应管的制造方法,其特征在于,在所述在间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后,还包括:

间隔所述设定时间后,再对所述第一胶层进行第三次干法去除。

5.根据权利要求3所述的场效应管的制造方法,其特征在于,在所述间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后,还包括:

对所述第一胶层进行湿法去除和清洗。

6.根据权利要求4或5所述的场效应管的制造方法,其特征在于:

所述第一次干法去除包括:采用等离子体进行干法去除;

所述第二次干法去除包括:采用等离子体进行干法去除。

7.根据权利要求6所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在形成有有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶之前,还包括:

在衬底上依次形成外延层和初始氧化层;

在所述初始氧化层上形成有源区。

8.根据权利要求7所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在所述第一胶层上形成截止环,包括:

对所述第一胶层进行光刻和刻蚀处理,形成截止环区域;

在所述截止环区域中注入第一杂质,形成截止环。

9.根据权利要求8所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在所述初始氧化层上形成终端环,包括:

在所述初始氧化层的表面涂覆第二光刻胶,形成第二胶层;

对所述第二胶层进行光刻和刻蚀处理,形成终端环区域;

在所述终端环区域中注入第二杂质,形成终端环。

10.根据权利要求9所述的场效应管的制造方法,其特征在于:所述第一杂质为N型杂质;

所述第二杂质为P型杂质。

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