[发明专利]场效应管的制造方法在审
申请号: | 201410010201.X | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN104779158A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 赵圣哲 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100871 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 制造 方法 | ||
1.一种场效应管的制造方法,其特征在于,包括:
在形成有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶,形成第一胶层;
在所述第一胶层上形成截止环;
对所述第一胶层进行第一次干法去除;
间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除;
在所述初始氧化层上形成终端环。
2.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述设定时间为大于20分钟。
3.根据权利要求2所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述设定时间为30分钟。
4.根据权利要求3所述的场效应管的制造方法,其特征在于,在所述在间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后,还包括:
间隔所述设定时间后,再对所述第一胶层进行第三次干法去除。
5.根据权利要求3所述的场效应管的制造方法,其特征在于,在所述间隔设定时间后,再对所述第一胶层进行第二次干法去除之后,还包括:
对所述第一胶层进行湿法去除和清洗。
6.根据权利要求4或5所述的场效应管的制造方法,其特征在于:
所述第一次干法去除包括:采用等离子体进行干法去除;
所述第二次干法去除包括:采用等离子体进行干法去除。
7.根据权利要求6所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在形成有有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶之前,还包括:
在衬底上依次形成外延层和初始氧化层;
在所述初始氧化层上形成有源区。
8.根据权利要求7所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在所述第一胶层上形成截止环,包括:
对所述第一胶层进行光刻和刻蚀处理,形成截止环区域;
在所述截止环区域中注入第一杂质,形成截止环。
9.根据权利要求8所述的场效应管的制造方法,其特征在于,所述在所述初始氧化层上形成终端环,包括:
在所述初始氧化层的表面涂覆第二光刻胶,形成第二胶层;
对所述第二胶层进行光刻和刻蚀处理,形成终端环区域;
在所述终端环区域中注入第二杂质,形成终端环。
10.根据权利要求9所述的场效应管的制造方法,其特征在于:所述第一杂质为N型杂质;
所述第二杂质为P型杂质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造