[发明专利]基于Credence KalosI存储器测试平台的并行测试装置及测试方法有效
申请号: | 201410010405.3 | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN103744012A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 credence kalosi 存储器 测试 平台 并行 装置 方法 | ||
1.一种基于Credence KalosI存储器测试平台的并行测试装置,其特征在于,包括:
384个芯片,平均分成64子组芯片,每一所述芯片具有一电源接口、一地接口、一时钟接口和一IO接口;
384个内建自测试模块,每一所述内建自测试模块中具有多种自测试图形,每一所述芯片中内置一所述内建自测试模块,且每一所述芯片的电源接口、地接口、时钟接口和IO接口与内置的内建自测试模块相连;
一KalosI存储器测试平台,所述KalosI存储器测试平台具有16块测试主板,每一所述测试主板具有48个测试通道和4个电源通道;
其中,每一所述电源通道分别与一所述的子组芯片中的每一电源接口相连,每一所述测试通道分别依次与一所述芯片的时钟接口或IO接口相连,每一所述芯片中的地接口均与地相连。
2.如权利要求1所述的并行测试装置,其特征在于:每一所述芯片内置的内建自测试模块执行一所述自测试图形后,每一所述芯片的IO接口输出内置的内建自测试模块中的自测试图形的测试结果。
3.如权利要求2所述的并行测试装置,其特征在于:每一所述芯片的IO接口输出的自测试图形的测试结果为模拟量或数字信号的输入/输出状态。
4.如权利要求3所述的并行测试装置,其特征在于:所述模拟量为模拟低电压、模拟高电压或模拟电流中的一种。
5.如权利要求1所述的并行测试装置,其特征在于,还包括:每一所述芯片或部分所述芯片具有冗余扇区,具有所述冗余扇区的每一芯片中的内建自测试模块还用于自动判断并记录失效点的数量和地址。
6.如权利要求1所述的并行测试装置,其特征在于:每一所述芯片包括四个探针垫,每一所述芯片中的电源接口、地接口、IO接口和时钟接口分别连接一所述探针垫。
7.一种基于Credence KalosI存储器测试平台的并行测试装置的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一种如权利要求1所述的基于Credence KalosI存储器测试平台的并行测试装置;
每一所述芯片的电源接口、地接口、时钟接口和IO接口分别接收设备电源、地电压、时钟信号和控制信号,以启动每一所述芯片;
每一所述芯片内置的内建自测试模块执行一所述自测试图形后,每一所述芯片的IO接口输出内置的内建自测试模块中的自测试图形的测试结果;
所述KalosI存储器测试平台将接收到的测试结果与预设的测试结果相比,以确定不能正常工作的芯片。
8.如权利要求7所述的并行测试装置的测试方法,其特征在于:每一所述芯片的IO接口输出的自测试图形的测试结果为模拟量或数字信号的输入/输出状态。
9.如权利要求8所述的并行测试装置的测试方法,其特征在于:所述模拟量为模拟低电压、模拟高电压或模拟电流中的一种。
10.如权利要求7所述的并行测试装置的测试方法,其特征在于,还包括:每一所芯片或部分所述芯片具有冗余扇区时,具有冗余扇区的每一芯片中的内建自测试模块根据自动判断并记录失效点的数量和地址做冗余修补。
11.如权利要求7所述的并行测试装置的测试方法,其特征在于,还包括:每一所述芯片包括四个探针垫,每一所述芯片中的电源接口、地接口、时钟接口和IO接口分别连接一所述探针垫,通过所述的探针垫对并行测试装置进行封装测试。
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