[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410010413.8 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103738914A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成氮化钽层和硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上涂布光刻胶并对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口下保留部分硬掩膜层；
去除所述硬掩膜层上的光刻胶并对所述刻蚀窗口下的硬掩膜层和氮化钽层进行第二次刻蚀，形成沟槽。
2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅层。
3.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层是通过化学气相沉积工艺形成的。
4.如权利要求3所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度在所述氮化钽层厚度的3倍以上。
5.如权利要求4所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀窗口下保留的氮化硅层的厚度范围在100埃到300埃之间。
6.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和第二次刻蚀均采用等离子体刻蚀工艺。
7.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在第二次刻蚀之后，对所述沟槽进行灰化和湿法清洗。
8.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成氮化钽层之前，提供衬底之后，在所述衬底上形成镍铁层。
9.如权利要求8所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述镍铁层和氮化钽层均是通过物理气相沉积工艺形成的。
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