[发明专利]一种多孔硅模板的制备方法

权利要求书

1.一种多孔硅模板的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一，取HF、H₂O₂、去离子水，充分混合，得刻蚀液；

步骤二，无光照条件下，将硅衬底放入所述刻蚀液中，之后放在热板上保持恒温，浸泡；

步骤三，将硅衬底取出，用去离子水反复冲洗，吹干，即可得到多孔硅模板。

2.如权利要求1所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述HF、H₂O₂、去离子水的体积比为1:4:8～4:1:8。

3.如权利要求1所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述硅衬底的晶向为100。

4.如权利要求1所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述硅衬底为表面沉积金属银的硅衬底。

5.如权利要求1所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述硅衬底的制备方法具体步骤如下：

步骤A：清洗硅片：将硅片切成小块，依次经丙酮超声清洗、无水乙醇清洗、去离子水超声清洗，然后用去离子水冲洗，吹干；

步骤B：配制沉积金属Ag溶液：称取AgNO₃放入烧杯中，取HF放入AgNO₃中，用去离子水定容到60ml，搅匀，得混合溶液；

步骤C：硅衬底上沉积金属：在室温无光照条件下，将清洗好后的硅片放入所述混合溶液中，浸泡；取出后用去离子水冲洗干净，并用普氮将硅片吹干，即可得表面沉积金属银的硅衬底。

6.如权利要求5所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述硅片的电阻率为0.001～1Ω·cm。

7.如权利要求5所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述小块的尺寸规格为1.5×1.5cm²。

8.如权利要求5所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述丙酮超声清洗时间为5～10分钟、无水乙醇清洗时间为5～10分钟、去离子水超声清洗时间为5～10分钟。

9.如权利要求5所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述AgNO₃为0.0102g，所述HF为0.1ml。

10.如权利要求5所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤C中，所述浸泡时间为1分钟。

11.如权利要求1所述的多孔硅模板的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述恒温的温度为35～45℃，所述浸泡时间为60～150分钟,所述吹干具体为用氮气吹干。