[发明专利]室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下工艺步骤，

a、以柔性衬底为基板，将柔性衬底清洗干净，放入磁控溅射装置的托架里，并对进样室和溅射室抽真空，直到进样室真空度为3×10^-3Pa，溅射室的真空度为1×10^-3Pa；

b、打开进样室和溅射室之间的空气锁夹板，将柔性衬底送到溅射室的转盘上，再关闭进样室与溅射室之间的空气锁夹板，将溅射室的真空度抽至1×10^-4Pa；

c、室温下，通入氩气和氢气的混合气体，直到压强达到1.0～1.5Pa，开启射频电源，调节溅射功率，待AZO陶瓷靶起辉后，调节压强，预溅射5～15分钟；

d、调整AZO陶瓷靶与柔性衬底之间的距离，继续通入氩气和氢气的混合气体，同时开始计时；

e、达到溅射时间后，关闭射频电源，关闭气体，抽出剩余气体，即完成AZO透明导电薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的混合气体中氢气含量为2～5％。

4.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的混合气体中氢气含量为3％。

5.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的溅射功率为50～70W。

6.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的c步骤中调节压强为0.5～1.2Pa。

7.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的AZO陶瓷靶与柔性衬底之间的距离为60～80mm。

8.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的溅射时间为40～50min。

9.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的d步骤中通入混合气体的量为20～40sccm。

10.根据权利要求1所述的室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的柔性衬底清洁步骤包括，将柔性衬底先用乙醇溶液擦洗，再用乙醇溶液和去离子水分别超声3～7分钟，然后用高纯氮气吹干，放入真空干燥箱在70℃下干燥1～3小时，备用。