[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件，包含：

半导体叠层，其中该半导体叠层包含第一半导体层，发光层位于该第一半导体层之上，及第二半导体层位于该发光层之上；

第一金属层，位于该第二半导体层之上；

第二金属层，形成于该第一半导体层；

第三金属层，形成于该第一金属层之上；

第四金属层，位于该第二金属层、该第一半导体层及该第二半导体层之上；以及

绝缘层，具有一部份直接接触该第一半导体层及另一部份直接接触该第二半导体层的顶部，且该第一金属层与该绝缘层具有一间距，

其中该第一金属层的顶部至该第二半导体层的顶部具有一第一高度及该绝缘层的该另一部份的顶部至该第二半导体层的顶部具有一第二高度，且该第一高度与该第二高度相近或该第一高度与该第二高度的差异小于1μm，以及

其中该第四金属层直接接触该第一半导体层及该绝缘层的该另一部份的该顶部。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中该第三金属层的顶部与该第一半导体层的表面具有一最短距离d6，及该第四金属层的顶部与该第一半导体层的该表面具有一最短距离d5，且d6与d5的差异小于1μm。

3.如权利要求1所述的光电元件，其中该第二金属层形成于该第一半导体层及该第四金属层之间，且该第二金属层与该绝缘层具有一间距。

4.如权利要求3所述的光电元件，其中该第二金属层的顶部与该第一半导体层的底部具有一最短距离h1，及该绝缘层的顶部与该第一半导体层的底部具有一最短距离h2，且h1与h2的差异小于1μm。

5.如权利要求1或3所述的光电元件，其中该间距小于3μm。

6.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层的材料包含磷化铝镓铟(Al GaInP)系列、氮化铝镓铟(Al GaInN)系列等III族氮化物或氧化锌(ZnO)系列。

7.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一金属层的材料可选自铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、锡(Sn)、或银(Ag)等金属材料。

8.一种光电装置，包含：如权利要求2所述的光电元件；以及一载板；其中该载板电连接该第三金属层与该第四金属层。

9.一种制造一光电元件的方法，包含下列步骤：

提供一半导体叠层，其中该半导体叠层包含一第一半导体层，一发光层形成于该第一半导体层之上，及一第二半导体层形成于该发光层之上；

蚀刻该半导体叠层以裸露出部分该第一半导体层；

形成一绝缘层该半导体层之上；

形成一光致抗蚀剂层于该绝缘层之上；

通过该光致抗蚀剂层蚀刻部分该绝缘层以裸露出部分该第一半导体层及部分该第二半导体层；

形成一第一金属层，其中一第一部分的该第一金属层形成于该部分第二半导体层上，以及一第二部分的该第一金属层形成于该光致抗蚀剂层上，其中该第一部分的该第一金属层与该绝缘层具有一间距；以及

移除该光致抗蚀剂层与该第二部分的第一金属层。

10.如权利要求9所述的方法，其中该光致抗蚀剂层对该绝缘层的蚀刻还包含一侧蚀刻以定义出该间距。

11.如权利要求9所述的方法，其中该第一部分的第一金属层的顶部至该第二半导体层的顶部具有一第一高度及该绝缘层的顶部至该第二半导体层的顶部具有一第二高度，且该第一高度与该第二高度相近或该第一高度与该第二高度的差异小于1μm。

12.如权利要求10所述的方法，其中还包含形成一第二金属层于该第一金属层之上，且该第二金属层几乎不覆盖该绝缘层。