[发明专利]掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池无效
| 申请号： | 201410011688.3 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730532A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 包健 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺氢晶化硅 钝化 异质结 太阳能电池 | ||
1.一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：
一P型晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面；
一N型掺氢晶化硅层（2），沉积在P型晶体硅衬底（1）的正面上；
一重掺杂N型非晶硅层（3），沉积在N型掺氢晶化硅层（2）的上表面上；
一正面透明导电膜层（4），沉积在重掺杂N型非晶硅层（3）的上表面上；
一正面电极层（5），位于正面透明导电膜层（4）的上表面上，并且通过该正面透明导电膜层（4）与重掺杂N型非晶硅层（3）电性连接；
一P型掺氢晶化硅层（6），沉积在P型晶体硅衬底（1）的背面上；
一重掺杂P型非晶硅层（7），沉积在P型掺氢晶化硅层（6）的下表面上；
一背面透明导电膜层（8），沉积在重掺杂P型非晶硅层（7）的下表面上；
一背面电极层（9），位于背面透明导电膜层（8）的下表面上，并且通过该背面透明导电膜层（8）与重掺杂P型非晶硅层（7）电性连接。
2.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的正面电极层（5）和/或背面电极层（9）为银栅极。
3.根据权利要求1或2所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的正面透明导电膜层（4）和/或背面透明导电膜层（8）为ITO薄膜。
4.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的P型晶体硅衬底（1）的厚度为90~300μm。
5.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的N型掺氢晶化硅层（2）的厚度为3~15nm，禁带宽度为1.2~1.4eV。
6.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的重掺杂N型非晶硅层（3）的厚度为10~30nm，禁带宽度为1.7~1.9eV。
7.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的正面透明导电膜层（4）的厚度为60~90nm。
8.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的P型掺氢晶化硅层（6）的厚度为3~15nm。
9.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的重掺杂P型非晶硅层（7）的厚度为10~30nm，禁带宽度为1.7~1.9eV。
10.根据权利要求1所述的N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其特征在于：所述的背面透明导电膜层（8）的厚度为80~150nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
