[发明专利]具有覆铜导体的接合系统

权利要求书

1.一种半导体部件，包括：

半导体管芯，具有：半导体器件区；所述半导体器件区上的含铝金属层；和所述含铝金属层上的比所述含铝金属层硬的至少一个附加金属层；以及

含铜电导体，经由所述含铜电导体的导电涂层而被接合到所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层，所述导电涂层比所述含铜电导体的铜软。

2.根据权利要求1的半导体部件，其中所述含铜电导体的涂层包括选自由下列各项构成的组的材料：Al、Al合金、Pd、Pd合金、Ni和Ni合金。

3.根据权利要求2的半导体部件，其中所述含铜电导体的涂层包括AlMg。

4.根据权利要求1的半导体部件，其中所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层包括：

所述含铝金属层上的含铜金属层；以及

所述含铜金属层上的含镍金属层。

5.根据权利要求4的半导体部件，其中所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层进一步包括所述含镍金属层上的含钯金属层。

6.根据权利要求5的半导体部件，其中所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层进一步包括所述含钯金属层上的含金金属层。

7.根据权利要求1的半导体部件，其中所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层包括：

所述含铝金属层上的含镍金属层；以及

所述含镍金属层上的含钯金属层。

8.根据权利要求1的半导体部件，其中所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层包括所述含铝金属层上的含铜或镍金属层。

9.根据权利要求1的半导体部件，其中所述含铜电导体具有包括所述涂层的至少200μm的厚度。

10.根据权利要求1的半导体部件，其中所述涂层包括Al并具有至少50μm的厚度。

11.根据权利要求1的半导体部件，其中所述涂层包括Al合金并具有至少30μm的厚度。

12.根据权利要求1的半导体部件，其中所述含铜电导体在被接合到所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层处具有U形横截面。

13.根据权利要求1的半导体部件，其中所述涂层仅被施加到所述含铜电导体的面向所述半导体管芯的侧。

14.一种制造半导体部件的方法，所述方法包括：

提供半导体管芯，所述半导体管芯具有：半导体器件区；所述半导体器件区上的含铝金属层；和所述含铝金属层上的比所述含铝金属层硬的至少一个附加金属层；以及

经由含铜电导体的导电涂层将所述含铜电导体超声接合到所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层，所述导电涂层比所述含铜电导体的铜软。

15.根据权利要求14的方法，进一步包括通过下述操作来在所述含铝金属层上形成所述至少一个附加金属层：

在所述含铝金属层上溅射或电镀含铜金属层；以及

在所述含铜金属层上溅射或电镀含镍金属层。

16.根据权利要求15的方法，进一步包括通过在所述含镍金属层上溅射或电镀含钯金属层来在所述含铝金属层上形成所述至少一个附加金属层。

17.根据权利要求16的方法，进一步包括通过在所述含钯金属层上溅射或电镀含金金属层来在所述含铝金属层上形成所述至少一个附加金属层。

18.根据权利要求14的方法，进一步包括通过下述操作来在所述含铝金属层上形成所述至少一个附加金属层：

在所述含铝金属层上溅射或电镀含镍金属层；以及

在所述含镍金属层上溅射或电镀含钯金属层。

19.根据权利要求14的方法，进一步包括通过在所述含铝金属层上溅射或电镀含铜或镍金属层来在所述含铝金属层上形成所述至少一个附加金属层。

20.根据权利要求14的方法，进一步包括使用U形接合工具将所述含铜电导体按压抵靠所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层，使得所述含铜电导体在被接合到所述半导体管芯的所述至少一个附加金属层处具有U形横截面。