[发明专利]闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201410012363.7 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103928055B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 金经纶;尹翔镛 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王兆赓;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种操作闪速存储器的方法,所述方法包括:
对具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数,其中,所述第一相邻阈值电压范围由用于区分相邻位于的第一对阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压所限定;
对具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数,其中,所述第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压所限定;
基于具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量和具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量之间的计数差,来设置第一最佳读取电压,
其中,第一参考读取电压是为了识别相邻的阈值电压分布的初始状态而选择的初始读取电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,通过使用通过将第一调节参数应用于所述计数差而产生的结果值进行计算,来执行基于所述计数差设置第一最佳读取电压,其中,第一调节参数对于所述计数差是常数。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,第一最佳读取电压具有从第一参考读取电压移动结果值的电压电平。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,第一对阈值电压分布具有高斯分布的形式,并且第一调节参数不依赖于相邻位于的阈值电压分布的标准方差。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,第一调节参数是等式的一次项的系数,所述等式表达具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量和具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量之差与第一参考读取电压和第一最佳读取电压之差之间的关系。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,根据在第一对阈值电压分布内部的阈值电压的存储器单元的擦除的计数数量,不同地设置第一调节参数。
7.根据权利要求2所述的方法,还包括:
对具有包括在第三阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数,其中,所述第三阈值电压范围由用于区分相邻位于的第二对阈值电压分布的第二参考读取电压和与第二参考读取电压具有第三电压差的第三搜索读取电压所限定;
对具有包括在第四阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数,其中,所述第四阈值电压范围由第二参考读取电压和与第二参考读取电压具有第四电压差的第四搜索读取电压所限定;以及
基于将第二调节参数应用于具有包括在第三阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量和具有包括在第四阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量之差而产生的结果值,来设置第二最佳读取电压。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,第一调节参数和第二调节参数相同。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,第一调节参数和第二调节参数不同。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,第一对阈值电压分布包括擦除状态和第一编程状态。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,第一对阈值电压分布包括两种不同的编程状态。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,第一对阈值电压分布包括:在针对闪速存储器设置的阈值电压分布之中的具有最高阈值电压的编程状态。
13.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:在对具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数,以及对具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数之前,基于第一对阈值电压分布的初始装置设置第一参考读取电压。
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