[发明专利]暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线的制备方法，其特征在于：将一水合醋酸铜、Se粉、NaOH、溶剂加入聚四氟乙烯内衬中，搅拌均匀后置于反应釜中，160～220℃反应6～24小时，制备成暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线；

上述的一水合醋酸铜与Se粉、NaOH的摩尔比为1～2:1:50～70，一水合醋酸铜与溶剂的质量-体积比1～2g:250mL，溶剂的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%～60%，所述的溶剂是丙三醇与乙醇的体积比为0:1～0.67:1的混合液。

2.根据权利要求1所述的暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线的制备方法，其特征在于：将一水合醋酸铜、Se粉、NaOH、溶剂加入聚四氟乙烯内衬中，搅拌均匀后置于反应釜中，200℃反应12小时，制备成暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线。

3.根据权利要求1或2所述的暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线的制备方法，其特征在于：所述的溶剂是丙三醇与乙醇的体积比为0.67:1的混合液。

4.根据权利要求3所述的暴露高能（111）晶面立方结构Cu₂Se单晶纳米线的制备方法，其特征在于：所述的一水合醋酸铜与Se粉、NaOH的摩尔比为1:1:60。