[发明专利]一种晶闸管芯片的制作方法

权利要求书

1.一种晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

（1）装填：把裸铜片、焊片、硅片、焊片、裸铜片依次装填进石墨焊接板；

（2）焊接：将所述步骤（1）装填后的石墨焊接板放入真空焊接设备进行真空焊接得到晶闸管芯片原胚；

（3）腐蚀：将所述步骤（2）焊接后的晶闸管芯片进行腐蚀；以体积份计，首先用由9份浓度为40%-45%的氢氟酸、9份浓度为65%-68%的硝酸、4份浓度为98%的硫酸、12份浓度为99.9%的冰乙酸组成的第一种酸腐蚀，进酸温度为15℃至25℃，先将晶闸管芯片原胚放入盛有第一种酸的第一容器内腐蚀200至300s，再将晶闸管芯片原胚放入盛有第一种酸的第二个容器内腐蚀200至300s；然后冲洗2至5分钟再放入由1份浓度为35%的酸氧水、1份浓度为99%的磷酸、2份纯水组成的第二种酸中进行腐蚀，进酸温度为40℃至60℃，腐蚀时间为60s至90s；取出冲洗后，常温下，放入由一份浓度为35%的氨水、5份纯水组成的第三种溶液中反应1至2分钟，然后取出冲洗。

（4）脱水：将所述步骤（3）腐蚀后的晶闸管芯片原胚用无水乙醇进行脱水；

（5）烘烤：将所述步骤（4）脱水后的铜质芯片放置在烘烤箱中烘干；

（6）上胶：将所述步骤（5）烘烤后的晶闸管芯片原胚表面涂上用于保护硅片台面的胶水，再放入真空设备抽真空，然后取出把胶水烘干；

（7）刮胶：将所述步骤（6）上胶后的晶闸管芯片原胚上、下表面抛光；

（8）去氧化层：将所述步骤（8）测试后的晶闸管芯片原胚放入步骤（3）所述的第二种酸内进行酸洗，然后用纯水冲洗，再用无水乙醇脱水，最后烘干；

（9）真空包装：将所述步骤（9）去氧化层后的铜质芯片进行真空包装。

2.根据权利要求1所述的晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）焊接过程中，焊接前，通过通氮气抽真空-100kp，换氮气次数5至6次；焊接过程中，换氮气1-3次。

3.根据权利要求1所述的晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：所述的步骤（3）中所述的冲洗为纯水冲洗2-5分钟，或者超声波冲洗5-10分钟。

4.根据权利要求1所述的晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：所述的步骤（5）烘烤为在烘箱中，150℃烘烤30分钟至一个小时，直至烘干。

5.根据权利要求1所述的晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：所述的步骤（6）上胶中，抽真空-10至-20kp，保持半个小时。

6.根据权利要求1或5所述的晶闸管芯片的制作方法，其特征在于：所述的胶为道康宁硅胶。