[发明专利]太阳能电池纳米发射极及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

1）在洁净的黑硅的表面进行离子注入，其中，离子的注入能量是5KeV～40KeV，离子的注入剂量是5×10¹⁴～1×10¹⁶离子/cm²；

2）将经过离子注入的黑硅在氧气中进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，在所述步骤2）中，退火温度为800℃～1100℃，退火时间是20分钟～90分钟。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，在所述步骤1）中，离子的注入角度是0°～30°。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，在所述步骤2）中，所述氧气的流量为60～90sccm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，在所述步骤1）之前还包括：对黑硅依次进行碱处理、RCA清洗和HF溶液清洗得到洁净的黑硅。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，所述碱处理采用的碱溶液为2wt%～5wt%的氢氧化钠、氢氧化钾或TMAH，所述碱溶液的温度为20℃～50℃，所述碱处理的时间为15秒～120秒。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，所述HF溶液清洗是将经过RCA清洗后的黑硅在3wt%～15wt%的HF溶液中浸泡60秒～240秒。

8.根据权利要求1至4任一项所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，所述黑硅的电阻率为1～10Ωcm。

9.根据权利要求1至4任一项所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法，其特征在于，所述黑硅的衬底类型为P型衬底且所述离子为磷离子，或所述黑硅的衬底类型为N型衬底且所述离子为硼离子。

10.一种由权利要求1至9任一项所述的太阳能电池纳米发射极的制备方法所形成的太阳能电池纳米发射极。